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公开(公告)号：CN114151343B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111445710.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G05B19/042 , F04C28/28
Abstract: 一种信息处理装置、信息处理系统、信息处理方法，信息处理装置具备：读取部，该读取部从存储装置读取对应于运转中的对象真空泵所属群组的共同条件，存储装置按每个设定群组储存属于该设定群组的真空泵的异常数据发生倾向的共同条件；检测部，该检测部从运转中的对象真空泵的状态量数据检测第二异常数据；及比较部，该比较部对读取出的共同条件与检测出的第二异常数据的发生倾向进行比较，比较部在每个对应的时刻对表示异常的容许范围随时间变化的数据与从运转中的真空泵的状态量数据检测出的异常的时间序列数据进行比较。
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公开(公告)号：CN113001396A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110238691.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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公开(公告)号：CN1287587C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02809989.3
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H04N3/15 , H01J37/26 , G01N21/956 , H01R13/00
CPC classification number: H01J37/222 , G01N21/956 , H01J37/224 , H01J37/244 , H01J2237/2445 , H01J2237/2447 , H01R13/2421 , H04N5/2253 , Y10S439/935
Abstract: 包括TDI传感器(64)与馈通装置(50)的电子束设备。馈通装置有插座接触件(54)，将连接到分出不同环境的凸缘(51)上的插针(52)和与之组成对的另一插针(53)互连，此插针(52)、另一插针(53)与插座接触件(54)共组成连接单元且此接触件(54)有弹性件(61)。因而即会设置多个连接单元，也能将连接力保持到可防止传感器破损的水平。插针(53)与其中象素阵列已根据图象投影光学系统的光学特性取自适应组合的TDI传感器(64)连接。此传感器有多个积分级，能将图象投影光学系统视场减至尽可能地小，以可于此视场中将最大可接收畸变设定得较大。此外可将积分级个数确定成使TDI传感器的数据传输率可不减少但不会尽可能地增多插针数。最好可使行的计数数大致等于积分级个数。
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公开(公告)号：CN114109832A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111445458.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 一种信息处理装置，具有：决定部，该决定部至少使用一个对象真空泵或其他真空泵的过去的对象状态量，来决定该对象状态量的正常变动范围或正常时间变动行为，所述对象状态量是根据流入真空泵内的气体负荷而变动的状态量；及比较部，该比较部对所述对象真空泵的当前的对象状态量和该正常变动范围或该正常时间变动行为进行比较，并输出比较结果。
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公开(公告)号：CN110545958A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026550.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32 , B24B37/013 , B24B37/015 , B24B37/30 , B24B49/04 , B24B49/16 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种用于将四边形的基板平坦化的CMP研磨装置。提供一种用于研磨四边形的基板的研磨装置，该研磨装置具有：用于保持四边形的基板的基板保持部，所述基板保持部具有：用于支承基板的四边形的基板支承面；及用于安装止动构件的安装机构，该止动构件配置于所述基板支承面的至少一个角部外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1310025C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN114109799B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111448722.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: F04B51/00 , F04C28/28 , F04D27/00 , G06F17/18 , G05B19/418
Abstract: 一种信息处理装置及信息处理方法，信息处理装置具有比较部，该比较部参照存储部，对从运转中的真空泵的状态量数据检测出的异常数据的倾向与存储于所述存储部的基准数据进行比较，并输出比较结果，所述存储部存储有使用已故障的真空泵的状态量数据中检测出的异常数据的倾向而决定的用于判定到达故障的可能性的基准数据。
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公开(公告)号：CN117581336A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280044190.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种研磨晶片等的基板的研磨方法和研磨装置。本方法具备如下工序：研磨基板(W)；一边研磨基板(W)，一边生成转矩波形；及从基板(W)研磨前所存储的多个参考转矩波形选择一个参考转矩波形。研磨基板(W)的工序包含阶差研磨工序和平坦研磨工序，阶差研磨工序包含如下工序：基于利用第一关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚；及比较转矩波形与选出的参考转矩波形，判断是否应结束阶差研磨工序；平坦研磨工序包含基于利用第二关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚的工序。
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公开(公告)号：CN110050125B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880004933.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: F04B51/00 , G05B19/418
Abstract: 本发明具有：决定部，该决定部至少使用一个对象真空泵或其他真空泵的过去的对象状态量，来决定该对象状态量的正常变动范围或正常时间变动行为，所述对象状态量是根据流入真空泵内的气体负荷而变动的状态量；及比较部，该比较部对所述对象真空泵的当前的对象状态量和该正常变动范围或该正常时间变动行为进行比较，并输出比较结果。
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公开(公告)号：CN107877356A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710908822.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/105 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/34 , B24B37/345 , B24B49/10 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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