公开(公告)号：CN118156288A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311632415.6

申请日：2023-12-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸 ,  堀合慧祥

IPC: H01L29/32 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供碳化硅基板及使用它的碳化硅半导体装置。碳化硅基板具备由碳化硅(SiC)构成的基板(10)，在电子激励中，650～750nm波长的发光峰值(I3)是385～408nm波长的发光峰值(I1)的4.5倍以上。

公开(公告)号：CN118263285A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311728699.9

申请日：2023-12-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置。碳化硅晶片具备由SiC构成的基板(10)、以及由SiC构成并配置于基板上的外延层(20)，并具有形成半导体元件的芯片形成区域、以及包围芯片形成区域的外周区域。外延层在芯片形成区域中通过DLTS法导出的0.10～0.20eV的活化能中的陷阱密度设为1.0×1013cm‑3以下，基板通过SIMS法测定的Ti密度以及Cr密度分别设为1.0×1017cm‑3以下。

公开(公告)号：CN117917779A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311340342.3

申请日：2023-10-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 碳化硅(SiC)晶片具备由SiC构成的衬底和由SiC构成并配置在衬底上的外延层。从衬底侧朝向外延层，碳空位的浓度连续地减小，衬底构成为，碳空位的浓度为3.0×1015cm－3以上。

公开(公告)号：CN118374882A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410069698.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅衬底具备通过共振法测量的杨氏模量在500℃时为475GPa以上的衬底(10)。碳化硅晶片具备上述碳化硅衬底和形成在上述碳化硅衬底上的外延层(20)。上述外延层的膜厚为4～40μm。碳化硅半导体装置具备：上述碳化硅衬底；外延层(20)，形成在上述碳化硅衬底上；以及半导体元件，使电流沿着上述碳化硅衬底和上述外延层的层叠方向流动。

公开(公告)号：CN110137241B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910102205.3

申请日：2019-02-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅半导体基底包括第一导电类型基底电类型并且具有30mΩcm或更小的电阻率。第一导电类型基底中的少数载流子的寿命设定为100纳秒或更少。(1)，其掺杂有第一导电类型杂质以具有第一导

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN111384158B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN115516624A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180031629.0

申请日：2021-03-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福冈大辅 ,  上东秀幸 ,  梅泽昌义 ,  大岛正范 ,  上泷领二 ,  平野敬洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中，热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为，在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。

公开(公告)号：CN104641469B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。