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公开(公告)号：CN1481030A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03152590.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/8083
Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏取向{0001}表面，该偏取向{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。
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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN103320762B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN104641469B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380048022.9
申请日：2013-09-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/47 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/265 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0692 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110637109B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN104641469A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048022.9
申请日：2013-09-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/47 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/265 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0692 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。
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公开(公告)号：CN103320762A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN110192266A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/14
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
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