公开(公告)号：CN100485970C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200410092645.9

申请日：2004-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 拉杰什·库马尔 ,  安德烈·米赫伊勒 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/24 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083 ,  Y10S438/931

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。

公开(公告)号：CN1617354A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410092645.9

申请日：2004-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 拉杰什·库马尔 ,  安德烈·米赫伊勒 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083 ,  Y10S438/931

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。

公开(公告)号：CN1481030A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152590.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 片冈光浩 ,  竹内有一 ,  内藤正美 ,  拉杰什·库马尔 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏取向{0001}表面，该偏取向{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。

公开(公告)号：CN1327528C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03152590.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 片冈光浩 ,  竹内有一 ,  内藤正美 ,  拉杰什·库马尔 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏转的{0001}表面，该偏转的{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。