公开(公告)号：CN101136396A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610128833.1

申请日：2006-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  设菲尔德大学 ,  剑桥大学

Inventor： 拉杰什·库马尔·马尔汉 ,  C·马克·约翰逊 ,  西里尔·比泰 ,  杰里米·拉希德 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种功率电子封装件，包括：第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)；多个半导体芯片(20)和多个电子元件(30)，装配在所述衬底(1、2)之间。每个衬底(1、2)包括多个电绝缘体层(77)和图案化的电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)，其与所述电子元件(30)相连接；还包括多个接合在一起的凸起区或立柱(70)，从而将所述衬底(1、2)机械连接和电气连接。调整所述凸起区或立柱(70)的数量、排列以及形状，从而在所述衬底(1、2)之间获得机械分离。所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)是彼此分离和独立的，从而在至少一个所述衬底(1、2)上提供多个电路。

公开(公告)号：CN101136396B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200610128833.1

申请日：2006-08-30

Applicant: 株式会社电装 ,  设菲尔德大学 ,  剑桥大学

Inventor： 拉杰什·库马尔·马尔汉 ,  C·马克·约翰逊 ,  西里尔·比泰 ,  杰里米·拉希德 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种功率电子封装件，包括：第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2)；多个半导体芯片(20)和多个电子元件(30)，装配在所述衬底(1、2)之间。每个衬底(1、2)包括多个电绝缘体层(77)和图案化的电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)，其与所述电子元件(30)相连接；还包括多个接合在一起的凸起区或立柱(70)，从而将所述衬底(1、2)机械连接和电气连接。调整所述凸起区或立柱(70)的数量、排列以及形状，从而在所述衬底(1、2)之间获得机械分离。所述电导体层(7a、7b、8a、8b、9a、9b、9c、10a、10b)是彼此分离和独立的，从而在至少一个所述衬底(1、2)上提供多个电路。

公开(公告)号：CN100485970C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200410092645.9

申请日：2004-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 拉杰什·库马尔 ,  安德烈·米赫伊勒 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/24 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083 ,  Y10S438/931

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。

公开(公告)号：CN1617354A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410092645.9

申请日：2004-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 拉杰什·库马尔 ,  安德烈·米赫伊勒 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083 ,  Y10S438/931

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。