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公开(公告)号：CN101499479B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910003822.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/13 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n-型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p-型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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公开(公告)号：CN1873915A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088627.2
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/7806 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法，其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层，以便制造半导体器件。根据本发明，在衬底上方形成金属膜，在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的上方形成金属氧化膜，连续地形成第一绝缘膜而不暴露于空气，在第一绝缘膜的上方形成元件形成层，以及从衬底剥离元件形成层，以便制造半导体器件。
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公开(公告)号：CN1808689A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510128951.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 田村友子
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02175 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/31122 , H01L21/3165 , H01L21/67207 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 提出了一种低成本、高可靠性的半导体器件制作方法，其中通过从衬底剥离具有设于衬底上的薄膜晶体管等的元件形成层而制作半导体器件。在衬底上形成金属薄膜，对其进行等离子体处理以在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜上形成元件形成层，形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层，在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口，通过该开口注入腐蚀剂以除去该绝缘薄膜和元件形成层，从该衬底上剥离该元件形成层。可以通过部分地除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜并随后采用物理方法而进行该剥离。
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公开(公告)号：CN100454520C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510091376.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/13 , H01L27/28 , H01L29/78603 , H01L2924/3511
Abstract: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。
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公开(公告)号：CN1976005A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163794.9
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/78 , H01L27/1214
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法。在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、多个第二半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个相邻、多个第三半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个和该多个第二半导体集成电路的一个相邻、以及多个第四半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个、该多个第二半导体集成电路的一个、和该多个第三半导体集成电路的一个相邻。形成第一保护层以覆盖第一半导体集成电路和第一半导体集成电路外围的第二衬底的表面。分割第二衬底和保护层以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底留在第一半导体集成电路的外围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1716575B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200510078881.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2224/83 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。
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公开(公告)号：CN1808689B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200510128951.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 田村友子
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02175 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/31122 , H01L21/3165 , H01L21/67207 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 提出了一种低成本、高可靠性的半导体器件制作方法，其中通过从衬底剥离具有设于衬底上的薄膜晶体管等的元件形成层而制作半导体器件。在衬底上形成金属薄膜，对其进行等离子体处理以在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜上形成元件形成层，形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层，在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口，通过该开口注入腐蚀剂以除去该绝缘薄膜和元件形成层，从该衬底上剥离该元件形成层。可以通过部分地除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜并随后采用物理方法而进行该剥离。
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公开(公告)号：CN100585796C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610088627.2
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/7806 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法，其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层，以便制造半导体器件。根据本发明，在衬底上方形成金属膜，在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的上方形成金属氧化膜，连续地形成第一绝缘膜而不暴露于空气，在第一绝缘膜的上方形成元件形成层，以及从衬底剥离元件形成层，以便制造半导体器件。
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公开(公告)号：CN101499479A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003822.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/13 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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公开(公告)号：CN100474629C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580028239.9
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n-型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p-型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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