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公开(公告)号：CN100355013C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00126319.6
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
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公开(公告)号：CN1979877A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610095901.9
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G03B21/00
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
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公开(公告)号：CN1697179A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067389.2
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
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公开(公告)号：CN1163968C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00128864.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。
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公开(公告)号：CN1290039A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00128864.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件,它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs),同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上,以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而,由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免,由此可获得满意的显示图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1979877B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610095901.9
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G03B21/00
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
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公开(公告)号：CN100481352C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610004120.4
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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公开(公告)号：CN100440538C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02160521.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , B23K26/10 , B23K26/702 , B23K2101/40 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L29/78603
Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。
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公开(公告)号：CN1252816C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN00101038.7
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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公开(公告)号：CN1832118A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004120.4
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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