公开(公告)号：CN1293601C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02158432.X

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01S3/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/082 ,  B23K2101/007 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。

公开(公告)号：CN1828834A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1915572B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN100336164C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。

公开(公告)号：CN1915572A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1331189C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02156953.3

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  志贺爱子 ,  棚田好文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

公开(公告)号：CN1280880C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1248287C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02152955.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G06F9/45

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。

公开(公告)号：CN1427451A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02156953.3

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  志贺爱子 ,  棚田好文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

公开(公告)号：CN1409382A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。