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公开(公告)号：CN115274860B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202210756520.X
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/45 , H01L29/49 , H10K59/12 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/12 , H05B33/14
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN112805838B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H10K59/121 , H10K50/10
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN117980978A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063648.6
申请日：2022-09-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , G06F3/042 , H05B33/02 , H05B33/12 , H05B33/14 , H10K59/126 , H10K59/38 , H10K59/40 , H10K50/858 , H10K59/80
Abstract: 提供一种摄像功能的显示装置。提供一种能够以高灵敏度拍摄的摄像装置或显示装置。该显示装置包括第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、第一衬底上的发光元件、与发光元件相邻的受光元件、第一衬底上的第一遮光层、第二衬底的与第一衬底相对的面上的第二遮光层以及第二遮光层的与第一衬底相对的面上的第三遮光层。从平面看时，第一至第三遮光层都设置在发光元件与受光元件之间。从平面看时，在第一遮光层与第三遮光层之间具有间隙。
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公开(公告)号：CN110676324B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910937461.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN111446259B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201911299399.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117858542A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311289649.5
申请日：2023-10-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖显示装置的制造方法及显示装置。在第1步骤中，在绝缘膜上形成第一电极、第二电极、第一间隙，在第2步骤中，在第二电极上形成第一膜，在第3步骤中，形成与第一电极重叠的第一层，在第4步骤中，通过蚀刻法去除第一膜，来形成与第一电极重叠的第一单元，在第5步骤中，去除第二电极的表面，在第6步骤中，在第一层及第二电极上形成第二膜，在第7步骤中，形成与第二电极重叠的第二层，在第8步骤中，利用第二层通过蚀刻法去除第二膜，来形成与第二电极重叠的第二单元及与第一间隙重叠的第二间隙。
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公开(公告)号：CN116981268A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310449502.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K30/00 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明提供一种驱动电压的上升得到抑制的光电转换器件。另外，提供一种功耗上升得到抑制的受发光装置。本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置包括第一电极、第二电极和有机化合物层，其中所述有机化合物层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机化合物层包括第一层，所述第一层与所述第二电极间包括具有凸状的结构体，该结构体包括第一有机化合物。
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公开(公告)号：CN116783638A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012780.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种高开口率的显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层及公共电极。第一绝缘层覆盖第一像素电极及第二像素电极的端部。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上，并覆盖第一绝缘层的端部。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置，并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂，第二绝缘层包含无机绝缘材料。
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公开(公告)号：CN110690230B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910929577.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN114093890B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111335062.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L29/786 , H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。
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