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公开(公告)号：CN101078875A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710109169.0
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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公开(公告)号：CN1924702A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142247.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN100385610C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310100255.7
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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公开(公告)号：CN1892422A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094228.7
申请日：2006-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/00 , G02F1/1333
CPC classification number: G01N15/14 , G01N2015/1493
Abstract: 本发明提供一种药液认定方法。该药液的认定方法包括以下步骤：(a)按照颗粒的每种尺寸，求出药液中的颗粒数量；(b)按照上述颗粒的每种尺寸，预测上述药液对使用该药液制造的被制造器件产生的影响；和(c)使用上述(a)的结果和上述(b)的结果，求出上述药液对上述被制造器件产生的影响度，根据该求出的结果评价上述药液的品质，根据该评价结果判断上述药液是否合格，根据该判断结果，把上述药液认定为在上述被制造器件的制造工序中使用的药液。
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公开(公告)号：CN1453823A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122138.6
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/26 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1244956C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN01111758.3
申请日：2001-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/085 , G03F7/09 , H01L21/3081 , H01L21/32139
Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。
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公开(公告)号：CN1630034A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410092193.4
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 盐原英志
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
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公开(公告)号：CN1573548A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410042367.6
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/039 , H01L21/027 , H01L21/47
CPC classification number: G03F7/70608
Abstract: 提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。
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公开(公告)号：CN100403167C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN03122138.6
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。
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公开(公告)号：CN100373537C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510071800.3
申请日：2005-04-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N15/02 , G01N2015/0053 , Y10T436/25 , Y10T436/2575
Abstract: 本发明提供的一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。
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