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公开(公告)号：CN119677141A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217287.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够降低导通电阻的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由砷、磷、锑以及镁构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN115411094A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210137348.X
申请日：2022-02-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。
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公开(公告)号：CN119677140A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217286.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高阈值电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由硼、铟、铝以及铍构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN119677132A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311719488.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极、设于所述第一电极之上的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域之上的第一导电型的第三半导体区域、隔着栅极绝缘膜设于所述第二半导体区域内的栅极电极、具有第一部分以及第二部分的接触部、以及电连接于所述接触部的第二电极。所述第一部分与所述第三半导体区域以及所述第二半导体区域的一部分并列，所述第二部分设于所述第一部分的下端，并具有比所述第三半导体区域的上端处的所述第一部分的宽度大的宽度。
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公开(公告)号：CN117457605A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310135311.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L25/18 , H01L25/07
Abstract: 提供半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包含第一元件。第一元件包含第一～第三导电部件、第一半导体部件以及第三导电部件布线。第一导电部件包含第一导电部分与第二导电部分。第二导电部件包含第三导电部分与第四导电部分。从第一导电部分向第三导电部分的方向沿着第三方向。从第二导电部分向第四导电部分的方向沿着第一方向。第一半导体部件在第三方向上位于第一导电部分与第三导电部分之间，在第一方向上位于第二导电部分与第四导电部分之间。第三导电部件布线与第三导电部件电连接。第三导电部件布线的至少一部分通过第一半导体部件与第三导电部分之间的第一位置以及第一半导体部件与第一导电部分之间的第二位置中的某一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677131A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311699421.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置，能够减少反向恢复电荷。半导体装置具备：半导体层、分别设置于第1及第2主面的第1及第2主电极、第1导电型的第1半导体区域、从第1主面到达第1半导体区域的第1绝缘区域、设置于第1绝缘区域内的第1导电部、与第1绝缘区域相邻的第2绝缘区域、设置于第2绝缘区域内的控制电极、位于第1与第2绝缘区域之间的第1导电型的第2半导体区域、隔着第2半导体区域位于控制电极的相反侧且与第2半导体区域之间形成肖特基结的第2导电部、设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第3半导体区域、位于第3半导体区域与第1主电极之间的第1导电型的第4半导体区域、以及设置于第3及第4半导体区域内的接触部。
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公开(公告)号：CN119325271A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410053680.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。沟槽构造部具有：场板电极；第一绝缘膜，其设于场板电极与半导体层之间；第二绝缘膜，其设于场板电极上，向比第一绝缘膜靠近半导体层的第一面的一侧延伸突出；以及栅极电极，其具有设于第二绝缘膜上的第一部分和设于第一绝缘膜上且比第一部分厚的第二部分。栅极接触部从栅极配线层向第二部分延伸突出而与第二部分相接，且不位于第一部分与栅极配线层之间。在第二方向上，第一部分位于栅极接触部与第二部分相接的下端部的相邻处。
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公开(公告)号：CN118507512A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311076085.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。
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公开(公告)号：CN115440819A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210069128.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN120035175A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410874202.2
申请日：2024-07-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供能抑制耐压下降的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含具有第1面的支撑体、第1～4导电部和半导体层。从第1面往第1导电部的方向沿着第1方向。第2导电部在第2方向与第1导电部远离。半导体层位于第1导电部与第2导电部之间。半导体层包含对置区域和第1半导体区域。第3导电部在第3方向上远离第2导电部一部分和对置区域。第4导电部在第3方向远离第1半导体区域。第1半导体区域包含第1上端区域、第1下端区域和第1中间区域。第1上端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。第1下端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。
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