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公开(公告)号：CN101925979B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880125692.5
申请日：2008-11-21
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C30B25/06 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。
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公开(公告)号：CN101421854B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780012668.6
申请日：2007-04-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段，本发明的特征是制造一种半导体发光元件(1)，所述半导体发光元件(1)是在基板(11)上层叠有n型半导体层(13)、发光层(14)和p型半导体层(15)，在p型半导体层(15)上层叠有透光性正极(16)，同时在该透光性正极(16)上设有正极焊盘(17)，在所述n型半导体层(13)上设有负极焊盘(18)的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN102017082A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115352.9
申请日：2009-03-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L33/00
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。
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公开(公告)号：CN101978514A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110336.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14)，还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17)，形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN101517759B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780035629.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102113140A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130253.8
申请日：2009-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。
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公开(公告)号：CN101578715A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880002247.X
申请日：2008-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01S5/323 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物化合物半导体元件，具有：基板；设置于所述基板上的中间层；和基底层，所述基底层设置于所述中间层上，(0002)面的摇摆曲线半值宽度为100弧度秒以下，且(10－10)面的摇摆曲线半值宽度为300弧度秒以下。另外，本发明的III族氮化物化合物半导体元件的制造方法具有采用溅射法形成所述中间层的工序。
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公开(公告)号：CN101438429B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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公开(公告)号：CN101542756A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044018.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供可得到生产率优异并具有优异的发光特性的元件的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯。本发明的方法，是通过由等离子体将金属材料和含有Ⅴ族元素的气体活化而使其进行反应，从而在基板(11)上成膜出由Ⅲ族氮化物化合物形成的中间层(12)，在该中间层(12)上依次层叠由Ⅲ族氮化物半导体形成的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的制造方法，所述Ⅴ族元素为氮，形成中间层(12)时的所述气体中的氮的气体分率为大于20％且在99％以下的范围，并且作为单晶组织形成中间层(12)。
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公开(公告)号：CN101421854A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012668.6
申请日：2007-04-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段，本发明的特征是制造一种半导体发光元件(1)，所述半导体发光元件(1)是在基板(11)上层叠有n型半导体层(13)、发光层(14)和p型半导体层(15)，在p型半导体层(15)上层叠有透光性正极(16)，同时在该透光性正极(16)上设有正极焊盘(17)，在所述n型半导体层(13)上设有负极焊盘18的半导体发光元件。
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