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公开(公告)号：CN102130093B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201010564262.2
申请日：2010-11-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/10165 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/29015 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81001 , H01L2224/81136 , H01L2224/8114 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及布线电路结构体及使用该结构体的半导体装置的制造方法。在基底绝缘层(1)上形成导体层(2)作为电路图形，在其上形成端子部(3)，且在基底绝缘层(1)的上表面，在端子部的附近形成有支柱体(4)。此处使从成为连接对象的元件突出的凸起的突起高度为B，以基底绝缘层的上表面为基准面，使支柱体的高度为H、端子部的高度为h，使端子部的层厚为t，如下决定支柱体的高度H：在t＜B的情况下，满足B＜H＜h+B，此外，在t≥B的情况下，满足h＜H＜h+B。由此，支柱体作为隔离物而起作用，端子部的焊料到达元件的电极这样的压缩被抑制。
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公开(公告)号：CN102097341B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010587554.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , C08L63/00 , C08L79/08 , H01L21/486 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , Y02P20/582 , C08L21/00 , C08L61/06 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有这样的结构：半导体芯片(3)被安装在布线电路衬底(2)上并且用树脂进行密封。以使得布线电路衬底(2)可以与金属支撑层(1)分离的方式在金属支撑层上形成具有可以连接到所述芯片的电极的连接导体部分的布线电路衬底(2)，所述芯片(3)安装在所述布线电路衬底(2)上，片状树脂组合物(T)被放置在芯片上并且在芯片上被加热以密封该芯片，并且金属支撑层被分离并且被分割以获得单独的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102842512A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210206294.4
申请日：2012-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L24/27 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/27334 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81193 , H01L2224/8191 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/01029 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供可容易且准确地对经三维安装而得的半导体元件间的空间进行填充的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备如下工序：准备在双面形成有多个连接用构件的半导体晶片的工序；准备具备在基材上层叠粘合剂层而得的切割片、和层叠在上述粘合剂层上且厚度为与上述半导体晶片的第一面上的上述连接用构件的高度相当的厚度以上的固化性膜的层叠膜的工序；使上述层叠膜的固化性膜与上述半导体晶片的第一面相对，以所述连接用构件不从所述固化性膜向所述粘合剂层露出的方式将所述固化性膜贴合至所述半导体晶片的工序；对上述半导体晶片进行切割，形成半导体元件的工序。
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公开(公告)号：CN102637589A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210031292.6
申请日：2012-02-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , C09J7/02
CPC classification number: H01L23/293 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3157 , H01L24/10 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68377 , H01L2224/10126 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在抑制工序数的增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上，将依次层叠支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层而成的保护层形成用薄膜以热固性树脂层作为贴合面贴合的工序；将支撑基材和粘合剂层从热固性树脂层上剥离的工序；加热热固性树脂层而使之固化，形成保护层的工序；以及；将带有凸点的晶片与保护层一起切片的工序。
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公开(公告)号：CN111684270A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011433.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G01N27/30 , B82Y30/00 , G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 一种传感器用电极材，具有由多个碳纳米管构成为薄片状的碳纳米管集合体，各碳纳米管的纵向从所述碳纳米管集合体的一个面向另一个面延伸，所述碳纳米管集合体具有所述碳纳米管的低取向部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165478A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210543925.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。
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公开(公告)号：CN102637651A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210031499.3
申请日：2012-02-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/29
CPC classification number: C09D171/08 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在抑制半导体装置制造时的工序数增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的保护层形成用薄膜。本发明的保护层形成用薄膜是用于在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上形成保护层的保护层形成用薄膜，将支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层依次层叠，热固性树脂层的熔融粘度为1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S、并且粘合剂层的剪切弹性模量为1×103Pa以上2×106Pa以下的温度存在于50～120℃的温度范围内。
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公开(公告)号：CN101577232B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910140427.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K3/107 , H05K3/182 , H05K2203/0108 , H05K2203/0338 , H05K2203/0709
Abstract: 本发明提供配线电路基板的制造方法。首先，在母型的凹凸部的表面上，附着用于在之后的工序中进行无电解电镀的催化剂。其次，准备由树脂材料构成的绝缘层。然后，加热绝缘层使其软化，并将母型的凹凸部按压在绝缘层的一面上。由此，在绝缘层上形成与母型的凹凸部的形状相应的槽部，并将催化剂转印在槽部的底面和侧面上。接着，在绝缘层上进行无电解电镀。在此情况下，通过还原反应使金属析出在存在催化剂的决绝缘层的部分上。从而，在绝缘层的槽部内形成导体图案。
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公开(公告)号：CN102097341A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010587554.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , C08L63/00 , C08L79/08 , H01L21/486 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , Y02P20/582 , C08L21/00 , C08L61/06 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有这样的结构：半导体芯片(3)被安装在布线电路衬底(2)上并且用树脂进行密封。以使得布线电路衬底(2)可以与金属支撑层(1)分离的方式在金属支撑层上形成具有可以连接到所述芯片的电极的连接导体部分的布线电路衬底(2)，所述芯片(3)安装在所述布线电路衬底(2)上，片状树脂组合物(T)被放置在芯片上并且在芯片上被加热以密封该芯片，并且金属支撑层被分离并且被分割以获得单独的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101752280A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910254216.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L2221/68372 , H01L2224/02319 , H01L2224/04042 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。将具有能够与半导体元件(3)的电极(31)连接的连接用导体部(21)的布线电路层(2)，在金属制支撑基板(1)上以能够从该基板(1)剥离的方式并且连接用导体部(21)露出于该布线电路层上面的方式形成，在将该布线电路层(2)在晶片状态的元件(3)上层叠，并将连接用导体部(21)与电极(31)进行连接之后，将所述支撑基板(1)从布线电路层(2)剥离，并切割晶片而获得各个半导体装置。
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