公开(公告)号：CN116547410A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180079060.5

申请日：2021-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  A·M·帕特尔

IPC: C23C16/505

Abstract: 示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。

公开(公告)号：CN113994023A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080043412.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 胡良发 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾 ,  V·卡尔塞卡尔 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  S·T·B·托卡奇丘 ,  B·S·权 ,  R·林杜尔派布恩 ,  K·D·李 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

Abstract: 本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。

公开(公告)号：CN107466420A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680021498.7

申请日：2016-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴蒂亚 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述的实施例涉及用于确定清洁终点的方法。可在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺，以确定由第一斜率所限定的清洁时间函数。可在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺，以确定由第二斜率所限定的清洁时间函数。可比较第一及第二斜率以确定清洁终点时间。

公开(公告)号：CN107466420B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201680021498.7

申请日：2016-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴蒂亚 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述的实施例涉及用于确定清洁终点的方法。可在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺，以确定由第一斜率所限定的清洁时间函数。可在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺，以确定由第二斜率所限定的清洁时间函数。可比较第一及第二斜率以确定清洁终点时间。

公开(公告)号：CN103477422A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

公开(公告)号：CN114026673A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080044306.0

申请日：2020-02-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·李 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾

IPC: H01L21/02 ,  B08B7/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件；和加热器支撑板，所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。

公开(公告)号：CN117529575A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280042368.7

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·M·博贝克 ,  R·黄 ,  A·A·哈贾 ,  A·班塞尔 ,  李铜衡 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  T·A·恩古耶 ,  S·河 ,  A·M·帕特尔 ,  R·林杜尔派布恩 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  K·D·李

IPC: C23C16/44

Abstract: 处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。

公开(公告)号：CN103477422B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。