公开(公告)号：CN110870048B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的

公开(公告)号：CN110709534A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110709534B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110870048A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。

公开(公告)号：CN119855937A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064517.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  赵咸元 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  雷蔚 ,  高兴尧 ,  谢里什·派斯 ,  侯文婷 ,  杜超 ,  杨宗翰 ,  夫敬皓 ,  林政汉 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨 ,  汪荣军 ,  唐先敏

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C28/00

Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。