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公开(公告)号：CN119092475A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410525921.3
申请日：2024-04-29
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及车辆。在确保依赖于沿面距离的绝缘性的同时使半导体装置更加小型化。半导体装置的壳体构件中的供第1主端子的外方端子部和第2主端子的外方端子部在第1面以规定的间隙配置的端子配置部具有：凹部，其在第1主端子的外方端子部与第2主端子的外方端子部之间，在第1面的平面视角下在与第1方向不同的第2方向上延伸，凹部的第2方向上的一端位于比第1主端子的外方端子部和第2主端子的外方端子部的靠近收容电路板的收容部的端部靠近收容部侧的位置；以及突出部，其在端子配置部的面向收容部的壁面的使凹部的一端在第2方向上延长到的位置，向收容部侧突出，将凹部与收容部隔开。
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公开(公告)号：CN111341731B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201911058565.4
申请日：2019-11-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01L23/043 , H01L23/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。其抑制模具的运行成本并且使树脂密封时的气泡容易排出。包括：绝缘电路基板，半导体元件，引线端子，布线构件，外壳，以及密封树脂，其填充于由外壳划定的区域，对绝缘电路基板、半导体元件、布线构件以及端子部进行密封。在引线端子中，端子部的顶端自外壳的侧壁的内侧面沿着半导体元件的上表面方向突出，引线部的基部埋入于侧壁。在端子部与所述引线部之间，于外壳的侧壁的内侧面形成有锚固部。锚固部包含在自绝缘板的下表面朝向上表面的方向上配置的凹部或凸部。规定凹部或凸部的一对相对面平行。布线构件的一端连接于端子部的上表面。
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公开(公告)号：CN119008534A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410304205.2
申请日：2024-03-18
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01L23/10 , H01L23/049 , H01L21/52
Abstract: 本公开涉及一种半导体模块和半导体模块的制造方法。半导体模块具备搭载半导体元件的电路基板、收容半导体元件的壳体、贯通壳体的内外的引线端子、以及在壳体内将半导体元件与引线端子电连接的键合线，引线端子具有用于接合键合线的焊盘部，壳体具有以围绕焊盘部的方式将焊盘部的至少一部分作为底面的凹部，凹部的侧面中的、在电路基板的厚度方向上观察时与键合线重叠的部分即第一侧面以随着从该底面去向凹部的开口而使凹部扩大的方式倾斜。
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公开(公告)号：CN116613112A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310003716.6
申请日：2023-01-03
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
Abstract: 提供半导体装置，提高密封树脂的密合性来防止线接合性的降低。具备：壳体树脂，其具有划定出配置半导体芯片的空间的框部和设置于框部的下侧的底部；外部连接端子，其具有一部分埋入于框部的外部端子和以从外部端子向空间内延伸的方式配置于底部的内部端子；线，其将半导体芯片与内部端子电连接；密封树脂，其以覆盖半导体芯片、线以及内部端子的方式形成于空间。内部端子具有台阶部和呈矩形形状的连接部，台阶部以与内部端子的向空间的延伸方向并行的方式设置于连接部的相向的两端，台阶部的上表面比连接部的上表面低，相向的台阶部各自的一部分上表面被利用壳体树脂构成的振动抑制部覆盖，在使台阶部的其它上表面露出的槽部埋入有密封树脂。
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公开(公告)号：CN106952897B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201610849375.4
申请日：2016-09-23
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供使大电流流过与半导体芯片的主电极连接的配线部件，抑制过度增加与控制电极连接的配线部件的导电箔的厚度的半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，具备正面和背面，在上述正面具有主电极和控制电极，上述背面固定于上述电路板；第一配线基板，包括第一导电部件，以与上述主电极对置的方式配置，上述主电极与上述第一导电部件电连接；第二配线基板，包含第二导电部件，以与上述控制电极对置的方式配置，具有开口；导电柱，具备一端和另一端，上述一端与上述控制电极电连接且机械连接，上述另一端与上述第二导电部件电连接且机械连接，上述第一导电部件的厚度比上述第二导电部件的厚度厚，上述第一配线基板配置于上述开口的内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004660A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003918.9
申请日：2016-05-16
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 功率半导体模块具备层叠基板、与层叠基板的正面接合的半导体元件、与层叠基板的背面接合的基板(14)、冷却壳体(15)、以及被容纳在冷却壳体(15)内的散热器(17)。冷却壳体(15)成为具有底壁(15a)和形成于底壁(15a)的周围的侧壁(15b)，并且，具有与底壁(15a)和侧壁(15b)的任一个连接的冷却液的入口部(15c)和出口部(15d)，侧壁(15b)的一端与基板(14)的背面接合，使得冷却液能够在由基板(14)、底壁(15a)和侧壁(15b)包围成的空间内流通。功率半导体模块在冷却壳体(15)的入口部(15c)和出口部(15d)中的至少一个的附近还具备垫片(20)。
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公开(公告)号：CN106952897A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610849375.4
申请日：2016-09-23
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L24/70
Abstract: 本发明提供使大电流流过与半导体芯片的主电极连接的配线部件，抑制过度增加与控制电极连接的配线部件的导电箔的厚度的半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，具备正面和背面，在上述正面具有主电极和控制电极，上述背面固定于上述电路板；第一配线基板，包括第一导电部件，以与上述主电极对置的方式配置，上述主电极与上述第一导电部件电连接；第二配线基板，包含第二导电部件，以与上述控制电极对置的方式配置，具有开口；导电柱，具备一端和另一端，上述一端与上述控制电极电连接且机械连接，上述另一端与上述第二导电部件电连接且机械连接，上述第一导电部件的厚度比上述第二导电部件的厚度厚，上述第一配线基板配置于上述开口的内侧。
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公开(公告)号：CN111341731A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911058565.4
申请日：2019-11-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01L23/043 , H01L23/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。其抑制模具的运行成本并且使树脂密封时的气泡容易排出。包括：绝缘电路基板，半导体元件，引线端子，布线构件，外壳，以及密封树脂，其填充于由外壳划定的区域，对绝缘电路基板、半导体元件、布线构件以及端子部进行密封。在引线端子中，端子部的顶端自外壳的侧壁的内侧面沿着半导体元件的上表面方向突出，引线部的基部埋入于侧壁。在端子部与所述引线部之间，于外壳的侧壁的内侧面形成有锚固部。锚固部包含在自绝缘板的下表面朝向上表面的方向上配置的凹部或凸部。规定凹部或凸部的一对相对面平行。布线构件的一端连接于端子部的上表面。
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公开(公告)号：CN120015723A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411354947.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/02 , H05K1/18
Abstract: 本发明提供在进行设于导电基板上的半导体芯片与印刷基板的电连接的结构中能够减小尺寸的半导体装置。半导体装置具备：导电基板(1a)；多个半导体芯片，其设于导电基板(1a)上；印刷基板，其具有设于导电基板(1a)上的第1导电层(12f)、设于第1导电层(12f)上的绝缘层(11)以及设于绝缘层(11)上且与多个半导体芯片的第1电极电连接的第2导电层(12a)；以及第1外部端子(4a)，其设于第2导电层(12a)上且向第2导电层(12a)的上方延伸。
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公开(公告)号：CN116259582A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211348665.2
申请日：2022-10-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 井上大辅
IPC: H01L23/10 , H01L23/055 , H01L25/07
Abstract: 本发明的目的为提供能够降低壳体部与基底部的安装公差的半导体模块。半导体模块(1)具备：基底部(13)，其具有多个半导体元件(Su1～Sw2)及对多个半导体元件(Su1～Sw2)进行冷却的冷却器(131)；壳体部(11)，其安装于基底部(13)，划定出配置多个半导体元件(Su1～Sw2)的空间(12)；第一突起部(117)，其具有通过自身的中心(117a)的第1方向(L1)的尺寸及与第1方向(L1)交叉且通过中心(117a)的第2方向(L2)的尺寸不同的形状，自壳体部(11)朝向基底部(13)所配置的那一侧突出；以及贯通孔(137)，其比第一突起部(117)的外周大，并且具有沿第一突起部(117)的外周的形状的开口，通过贯通基底部(13)而形成，供第一突起部(117)插入。
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