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公开(公告)号：CN120015723A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411354947.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/02 , H05K1/18
Abstract: 本发明提供在进行设于导电基板上的半导体芯片与印刷基板的电连接的结构中能够减小尺寸的半导体装置。半导体装置具备：导电基板(1a)；多个半导体芯片，其设于导电基板(1a)上；印刷基板，其具有设于导电基板(1a)上的第1导电层(12f)、设于第1导电层(12f)上的绝缘层(11)以及设于绝缘层(11)上且与多个半导体芯片的第1电极电连接的第2导电层(12a)；以及第1外部端子(4a)，其设于第2导电层(12a)上且向第2导电层(12a)的上方延伸。
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公开(公告)号：CN107004675A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003922.5
申请日：2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备：金属基底板，其具备第一面和第二面；冷却壳体，其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁，上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面，在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通，上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个，并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部，具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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公开(公告)号：CN111162060B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010057550.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备：金属基底板，其具备第一面和第二面；冷却壳体，其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁，上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面，在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通，上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个，并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部，具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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公开(公告)号：CN116544196A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211672465.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本发明实现具备隔着热传递介质而搭载在支承体上的半导体模块的高性能且高品质的半导体装置。半导体装置具备支承体、半导体模块、热传递介质以及第一框架部件。半导体模块具有半导体芯片和密封半导体芯片的树脂部件，并隔着热传递介质搭载于支承体上。第一框架部件配置在半导体模块上，具有覆盖半导体模块(其树脂部件)的上表面的边缘部的第一框部、以及设置于第一框部的内侧且与半导体模块(其树脂部件)相通的第一开口部。第一框架部件被螺钉固定于支承体。通过使用了第一框架部件的固定而能够缓解、分散产生于半导体模块的应力，并且抑制其性能、品质的降低。
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公开(公告)号：CN113906558A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080040688.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 确保刚性并且确保冷却性能。半导体装置(1)包括：绝缘基板(14)，其具有第1面和与第1面相反的一侧的第2面；半导体元件(12、13)，其搭载于绝缘基板的第1面上；以及冷却器(20)，其用于冷却半导体元件。冷却器包括：散热基板(21)，其具有接合面和与接合面相反的一侧的散热面，接合面与绝缘基板的第2面接合；多个散热片(22)，其设于散热基板的散热面；加强板(30)，其以覆盖多个散热片的方式配置，与多个散热片的顶端接合；以及冷却壳体(24)，其具有收容多个散热片和加强板的凹部。多个散热片之间的间隙(D2)大于加强板与凹部的底面之间的间隙(D1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531819B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201580001855.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , F28D15/00 , F28F3/02 , F28F3/022 , F28F3/048 , F28F3/12 , F28F13/12 , F28F27/02 , F28F2255/04 , H01L23/3121 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49838 , H01L25/0655 , H01L2924/0002 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供零件个数较少、结构简单、并能在温度高时自动提高冷却能力的冷却器以及容易组装的半导体装置。冷却器对半导体模块进行冷却，该冷却器包括：顶板(20)；套筒(21)，该套筒具有侧板(21a)和底板(21b)，且侧板(21a)固接于顶板(20)；制冷剂流入口(23)，该制冷剂流入口(23)使制冷剂流入由顶板(20)和套筒(21)围住的空间；制冷剂流出口(24)，该制冷剂流出口(24)使制冷剂从所述空间流出；多个翅片(22)，这多个翅片(22)固接于顶板(20)，并分别以分离的方式配置于套筒(21)内的主制冷剂路的左右，且被配置成朝主制冷剂路的流入侧倾斜；导热销(25)，该导热销(25)配置于翅片(22)的制冷剂流入侧的顶板(20)；以及弯曲板状的双金属阀(26)，该双金属阀(26)的一端与导热销(25)连接，另一端是自由端。
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公开(公告)号：CN105531819A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201580001855.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , F28D15/00 , F28F3/02 , F28F3/022 , F28F3/048 , F28F3/12 , F28F13/12 , F28F27/02 , F28F2255/04 , H01L23/3121 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49838 , H01L25/0655 , H01L2924/0002 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供零件个数较少、结构简单、并能在温度高时自动提高冷却能力的冷却器以及容易组装的半导体装置。冷却器对半导体模块进行冷却，该冷却器包括：顶板(20)；套筒(21)，该套筒具有侧板(21a)和底板(21b)，且侧板(21a)固接于顶板(20)；制冷剂流入口(23)，该制冷剂流入口(23)使制冷剂流入由顶板(20)和套筒(21)围住的空间；制冷剂流出口(24)，该制冷剂流出口(24)使制冷剂从所述空间流出；多个翅片(22)，这多个翅片(22)固接于顶板(20)，并分别以分离的方式配置于套筒(21)内的主制冷剂路的左右，且被配置成朝主制冷剂路的流入侧倾斜；导热销(25)，该导热销(25)配置于翅片(22)的制冷剂流入侧的顶板(20)；以及弯曲板状的双金属阀(26)，该双金属阀(26)的一端与导热销(25)连接，另一端是自由端。
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公开(公告)号：CN114365282A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202180005166.0
申请日：2021-01-21
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 提供一种能够减小冷却装置中的制冷剂的流速分布的半导体模块。该半导体模块具备冷却装置，其中，冷却装置具备：顶板；侧壁，其与顶板连接；底板，其面对顶板且与侧壁连接；多个多边形的针翅(94)，该多个多边形的针翅(94)的一端连接于顶板的面对底板的面的与侧壁分离的长方形的翅区(95)，且在俯视时呈矩阵状地分离配置；制冷剂的入口(41)，制冷剂在入口处的流路的中央配置于在俯视时与翅区(95)的一个长边的一部分接近的位置(Pi)；以及制冷剂的出口(42)，制冷剂在出口处的流路的中央配置于在俯视时与翅区(95)的另一个长边的一部分接近的位置(Po)，其中，多个针翅(94)的矩阵方向相对于将位置(Pi)与位置(Po)连结的直线(IO)形成角度，直线(IO)的横穿翅区(95)的线段的长度(L1)比翅区(95)的短边的长度(L2)长。
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公开(公告)号：CN111162060A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010057550.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备：金属基底板，其具备第一面和第二面；冷却壳体，其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁，上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面，在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通，上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个，并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部，具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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公开(公告)号：CN107004675B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201680003922.5
申请日：2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备：金属基底板，其具备第一面和第二面；冷却壳体，其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁，上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面，在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通，上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个，并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部，具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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