公开(公告)号：CN119300433A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411775153.3

申请日：2024-12-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 韩小标 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮 ,  杨文华 ,  谢超 ,  陈志亮 ,  桂鹏彬 ,  叶飞鸿 ,  许红升

IPC: H10D30/87 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种纵向导通常关型金刚石功率晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。其包括以下结构：p型低阻金刚石单晶衬底；p型高阻金刚石漂移层一，位于p型低阻金刚石单晶衬底的上表面；p型低阻金刚石插入层，位于p型高阻金刚石漂移层一的上表面；p型高阻金刚石漂移层二，位于p型低阻金刚石插入层的上表面；p型低阻金刚石帽层，位于p型高阻金刚石漂移层二的上表面，以及欧姆接触电极、栅介质层和肖特基栅电极。本发明提供的晶体管带有多层结构的复合外延层，其中低阻插入层可以实现降低导通电阻并提高阈值电压；高阻漂移层可以承受较高的电压。

公开(公告)号：CN117690869A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202410123350.0

申请日：2024-01-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 杨文华 ,  陆康 ,  谢超 ,  黄志祥

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法，包括以下步骤：首先，在空气环境中，利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；然后，在空气环境中，对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境，无需保护气体，工艺简单、工艺成本低，有利于工业化生产，且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。

公开(公告)号：CN113257945A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110732481.5

申请日：2021-06-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  梁毅 ,  杨文华 ,  黄志祥

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。

公开(公告)号：CN117690869B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410123350.0

申请日：2024-01-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 杨文华 ,  陆康 ,  谢超 ,  黄志祥

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法，包括以下步骤：首先，在空气环境中，利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；然后，在空气环境中，对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境，无需保护气体，工艺简单、工艺成本低，有利于工业化生产，且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。

公开(公告)号：CN117038615A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311104222.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 杨文华 ,  张思雨 ,  黄鑫 ,  谢超 ,  黄志祥

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene中间层的铜‑铜低温键合方法，该方法以MXene层作为无铅焊料与两铜衬底间的中间层，在保护气体和低温下实现两铜衬底的键合。本发明在采用无铅焊料进行Cu‑Cu键合时，以MXene作为焊料与Cu层之间的中间层，可以阻碍键合界面之间铜原子的快速扩散，从而抑制铜锡金属间化合物的过度生长，改善键合界面的力学、热学等性能，提高键合的质量，尤其是提高焊点在高温下长时间工作的可靠性。

公开(公告)号：CN116153796A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211721856.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 杨文华 ,  黄鑫 ,  谢超 ,  黄志祥

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，具体涉及一种铜‑铜金属键合方法。本发明提供的键合方法，包括以下步骤：在保护气氛下，利用水合肼对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；所述预处理的温度为50～90℃；在保护气氛下，将待键合的镀铜键合体进行加压键合；所述加压键合的温度为200～300℃。实施例的数据表明：本发明提供的键合方法得到的铜‑铜键合面的剪切强度可达22MPa。

公开(公告)号：CN113257945B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110732481.5

申请日：2021-06-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  梁毅 ,  杨文华 ,  黄志祥

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。