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公开(公告)号：CN106133916A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580003357.8
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0745
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN105789375A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610127549.6
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN111769179A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010597236.3
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102959738B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110808293A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910999294.6
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN106133916B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580003357.8
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN105874611A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480012403.6
申请日：2014-03-12
申请人： 太阳能公司
发明人： 吉娜维芙·A·所罗门 , 斯科特·哈林顿 , 坎恩·伍 , 保罗·卢斯科托福 , 邬俊波 , 史蒂文·爱德华·莫里萨
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/304
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板上形成抛光表面以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，其中所述抛光表面允许所述第一可流动基体形成包含厚度和宽度均匀的特征部的交叉图案。在一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料切片工艺的方法来形成所述硅基板。在另一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于硫酸(H2SO4)、乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)或磷酸(H3PO4)的化学蚀刻剂在所述硅基板上形成所述抛光表面。在再一个实施例中，所述蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。在又一个实施例中，所述方法包括提供具有至多500纳米峰到谷粗糙度的硅基板表面。
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公开(公告)号：CN102959738A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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