公开(公告)号：CN101996971A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010247364.1

申请日：2010-08-05

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 儿谷昭一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1416 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/13099

Abstract: 提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在包含规定的相邻的2个布线(7)的连接焊盘部(7b)间形成的5个延伸线部(7c)及其两侧的相邻的2个连接焊盘部(7b)的周边部的第1绝缘膜(5)的上表面，通过丝网印刷法、喷墨法等，形成由聚酰亚胺类树脂等构成的第2绝缘膜(10)。该情况下，由于该5个延伸线部(7c)的相互平行的部分是容易发生由电迁移引起的短路的区域，因此若仅将该区域覆盖第2绝缘膜(10)，则能够在该区域中使得由电迁移引起的短路不容易发生。其结果，能够使得第2绝缘膜(10)的形成区域尽可能地小，由此能够使得半导体晶片(21)不容易产生翘曲。

公开(公告)号：CN100468714C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710078997.2

申请日：2007-02-16

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  金子纪彦 ,  儿谷昭一

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体元件形成用衬底及半导体元件的制造方法。对具备半导体元件形成区域(1A)及平面尺寸与该半导体元件区域(1A)相同的校准标记形成区域(21A)的晶片状态的硅衬底(2)通过电解电镀形成柱状电极时，在半导体元件形成区域(1A)形成多个柱状电极(10)，在校准标记形成区域(21A)形成校准用柱状电极(22、23)及多个虚设柱状电极(24)。此时，通过形成虚设柱状电极(24)，电镀电流可以不局部地集中增大。

公开(公告)号：CN101026140A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710078997.2

申请日：2007-02-16

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  金子纪彦 ,  儿谷昭一

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体元件形成用衬底及半导体元件的制造方法。对具备半导体元件形成区域(1A)及平面尺寸与该半导体元件区域(1A)相同的校准标记形成区域(21A)的晶片状态的硅衬底(2)通过电解电镀形成柱状电极时，在半导体元件形成区域(1A)形成多个柱状电极(10)，在校准标记形成区域(21A)形成校准用柱状电极(22、23)及多个虚设柱状电极(24)。此时，通过形成虚设柱状电极(24)，电镀电流可以不局部地集中增大。