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公开(公告)号：CN106153241B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610715473.9
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS电容式压力传感器，包括衬底与压力应变膜片，压力应变膜片通过锚体固定于衬底上方；压力应变膜片底面中心键合有质量块，质量块四周沿X轴与Y轴分别设有可动梳齿电极；衬底顶部四周沿X轴与Y轴分别设有固定梳齿电极，可动梳齿电极与固定梳齿电极一一对应形成配合；每一对相互对应配合的可动梳齿电极与固定梳齿电极在Z轴方向形成零位差；压力应变膜片感应的压力传递给质量块，质量块带动可动梳齿电极沿Z轴移动，可动梳齿电极与固定梳齿电极正对面积的变化带来电容的变化，实现压力的测量；梳齿电极之间的相对移动是完全呈整体性的平行移动，正对面积的变化完全是线性的，使得电容的变化具有良好的线性度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104355284B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅 （3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
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公开(公告)号：CN104369085A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410465732.8
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/345
Abstract: 本发明涉及一种硅片抛光粘片方法，其特征在于：抛光头（01）下表面分布着用于真空吸附的浅凹槽（03），将玻璃衬底（02）上的通孔（04）内填入固体蜡（05），加热使得玻璃衬底（02）与待抛光硅片（06）紧密粘贴，实现化学机械抛光粘片的目的。本发明具有如下优点：采用待抛光硅片和玻璃片直接贴合，由于表面光滑，直接贴合后形成范德瓦尔斯力，在加压过程中不易产生相对移动，保证了贴合后待抛光硅片的均匀性和一致性；采用硅片粘合区域仅在玻璃片通孔区域，缩短了溶化后的液态蜡充分浸透的时间，提高化学机械抛光粘片效率；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
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公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102522262A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110419225.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度开关，由衬底（5）、硅框架（8）、弧形悬臂梁（1）、环形质量块（2）、碰撞柱（3）、环形接触电极（4）和硅盖帽（7）组成。硅框架固定在衬底上，中心设有圆孔；碰撞柱位于硅框架中心，固定在衬底上；硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁，弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接；环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙；环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构，可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测，同时采用环形结构设计，提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
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公开(公告)号：CN112271143A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024268.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。
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公开(公告)号：CN106153241A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610715473.9
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS电容式压力传感器，包括衬底与压力应变膜片，压力应变膜片通过锚体固定于衬底上方；压力应变膜片底面中心键合有质量块，质量块四周沿X轴与Y轴分别设有可动梳齿电极；衬底顶部四周沿X轴与Y轴分别设有固定梳齿电极，可动梳齿电极与固定梳齿电极一一对应形成配合；每一对相互对应配合的可动梳齿电极与固定梳齿电极在Z轴方向形成零位差；压力应变膜片感应的压力传递给质量块，质量块带动可动梳齿电极沿Z轴移动，可动梳齿电极与固定梳齿电极正对面积的变化带来电容的变化，实现压力的测量；梳齿电极之间的相对移动是完全呈整体性的平行移动，正对面积的变化完全是线性的，使得电容的变化具有良好的线性度，提高器件性能。
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