-
公开(公告)号：CN102963865B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102079502B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010571925.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。
-
公开(公告)号：CN102963865A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102367165B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
-
公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
-
公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN102901845B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210409192.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。
-
公开(公告)号：CN102998037A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
-
公开(公告)号：CN102522262A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110419225.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度开关，由衬底（5）、硅框架（8）、弧形悬臂梁（1）、环形质量块（2）、碰撞柱（3）、环形接触电极（4）和硅盖帽（7）组成。硅框架固定在衬底上，中心设有圆孔；碰撞柱位于硅框架中心，固定在衬底上；硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁，弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接；环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙；环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构，可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测，同时采用环形结构设计，提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.035 seconds)
