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公开(公告)号：CN110021497A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910411167.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种万向导通微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括：可动电极，水平固定电极和竖直固定电极；可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、触点弹簧和触点；水平固定电极包括悬臂梁，锚点和衬底，竖直固定电极上镀有金属电极和引线。可动电极通过水平触点和竖直触点可使开关可以在水平和竖直方向均能导通。可动电极上的两个质量块分别被质量块弹簧环绕，以便最大限度地提高空间利用率，减小器件的结构尺寸。水平固定电极的悬臂梁与可动电极上的悬臂梁都可以增加质量块在冲击作用下的位移，减小反弹效应，延长开关的接触时间，提高器件的可靠性。本发明在汽车，家电，机电行业具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102976263A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210533530.3
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法，在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻，在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻，从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器，在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力，提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性；是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器，在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102938350A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210482969.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括：可动电极和固定电极；可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、第一锚点和触点；固定电极包括第二锚点和悬臂梁。本发明的微冲击开关，固定电极采用多对悬臂梁，降低了固定电极的刚度，并在可动电极的质量块的前端增加了一个触点弹簧，形成刚度较小的可动触点，这些结构均有利于增加质量块在接触状态下的运动位移，降低碰撞反弹效应，从而延长接触时间，提高器件稳定性和可靠性。本发明在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1322591C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN1193218C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03104784.X
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540386A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/08 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN114015993B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111286773.7
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能三元含能薄膜点火换能元，所述换能元包括基底，基底表面的绝热层，位于绝热层上表面的点火桥膜和金属电极，位于点火桥膜上表面的绝缘层，位于绝缘层上表面的三元含能薄膜层，三元含能薄膜层通过周期性磁控溅射形成。本发明将Al/B/Ti三元含能薄膜与桥膜式换能元集成在同一器件中，二者制造均采用MEMS加工工艺，一致性好；三元含能薄膜可以与桥膜紧密接触，取代了传统点火系统中第一级起爆药，可靠性高；利用桥膜到三元复合含能薄膜的逐级引爆，可以实现低输入能量，高输出能量的点火。
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公开(公告)号：CN112034203B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010702434.1
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高精度隧道式加速度计及其制备方法。本发明的隧道式加速度计，包括玻璃衬底、硅片和石墨烯，其中硅片上有反馈电极、质量块和隧道结，反馈电极位于质量块左侧，质量块与弹簧固定连接，隧道结位于质量块右侧。其制备方法包含的步骤为：在硅片背面刻蚀限位槽，使质量块处于自由移动的状态；阳极键合玻璃衬底与硅片；溅射金属，在硅片正面标记位置制备反馈电极和隧道电流发射电极；深刻蚀，生成弹簧和质量块；制备隧道结，在隧道电流发射电极上集成石墨烯，通过电致燃烧法形成隧道结。本发明的隧道式加速度计，采用石墨烯电致燃烧法制备隧道结，既避免了传统工艺的限制，又确保了隧道间距的可控性，从而提高了加速度计的测试精度。
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公开(公告)号：CN112254586A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010912877.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面。本发明提供的复合含能薄膜半导体桥，相比于传统的半导体桥，将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层，取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药，更可控、且安全，在能量方面，本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜，更利于能量的转换，点火能力强，同时可实现隔离点火，药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔，在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统，实现智能化。
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公开(公告)号：CN104931193A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410100481.3
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种带有参考真空室的MEMS皮拉尼计。其特征在于，同一衬底上的两个微型皮拉尼计，其中一支真空封装在参考室内。将两支皮拉尼计一起置于测试环境中，同时输入相同的激励信号，通过外围电路测出对应的输出信号。其中真空封装的皮拉尼计不受所测环境真空度的影响，其阻值的变化主要由环境温度引起。未封装的皮拉尼计的阻值则同时受到环境气压和环境温度的影响。将两支皮拉尼计测得的输出信号差作为真空度测量信号，即可消除环境温度造成的皮拉尼计读数误差。
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