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公开(公告)号:CN102976263A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210533530.3
申请日:2012-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器,在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性;是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN103017946B
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201210518572.X
申请日:2012-12-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN103017946A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210518572.X
申请日:2012-12-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN104914275A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410087875.X
申请日:2014-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种集成温度补偿模块的电容式加速度计读出电路。传统的读出电路在电荷放大器后级对输出进行校正,信号放大的同时,噪声也放大相同的增益。本发明公开的读出电路采用不同的处理办法:温度补偿模块通过改变相应可变电容的容值来实时调整电荷放大器的增益和偏置,从而抵消温漂。其优点是有更高的信噪比。同时,为降低应用复杂性,提供了简单易用的数据接口,用户仅需要通过GPIO设备以及PC即可完成标定以及温度补偿功能。最后,考虑到温度传感器测得当前温度与加速度计感受到这个温度之间有时间差,电路能够缓存多个温度采样值,补偿时采用该时间差之前的采样值,从而提高补偿的动态特性。
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公开(公告)号:CN102976263B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201210533530.3
申请日:2012-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器,在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性;是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN108645559A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810331710.0
申请日:2018-04-13
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明公开了一种单片集成MEMS压力传感器及其制备方法。本发明的单片集成MEMS压力传感器包括:单片集成压力芯片、压力缓冲层、基板、引脚框、导线和塑封体;其中,单片集成压力芯片的内部集成单晶硅压力敏感薄膜、压阻式压力敏感电桥和信号调理电路。本发明的单片集成MEMS压力传感器具有机械和电子系统高度集成、批量大、成本低、体积小等特点,适应多种小尺寸应用领域。
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