公开(公告)号：CN104864010A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410058128.3

申请日：2014-02-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐楷斯 ,  张威 ,  苏卫国 ,  朱宁莉 ,  万松

IPC: F16F3/10 ,  F16F15/08

CPC classification number: F16F3/10 ,  F16F15/08

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS弹簧的微型减振平台。本发明的微型减振平台主要由三层单元隔振平台组成，上层和中层单元隔振平台的下表面都均匀涂有减振胶，中层和下层单元隔振平台的上表面有凸台阵列，每层单元隔振平台的四周设有平面弹簧，平面弹簧的外围设有边框。本发明的微型减振平台通过平面弹簧形变及凸台阵列和减振胶的完全非弹性碰撞，可有效延长撞击时间并吸收冲击的能量。凸台阵列和减振胶撞击后三层平台成为一个整体，弹簧刚度成倍增加，实现了大阻尼减振。若在液体环境中使用，高频冲击下平面弹簧与隔振平台之间的间隔以及每层隔振平台之间的间隔可以产生较大的滑膜阻尼和压膜阻尼。其主体结构为硅基材料，适合采用MEMS工艺大规模制备。

公开(公告)号：CN105551910A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610025572.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱宁莉 ,  徐楷斯 ,  陈兢

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。

公开(公告)号：CN105551910B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610025572.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱宁莉 ,  徐楷斯 ,  陈兢

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。

公开(公告)号：CN104914275A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410087875.X

申请日：2014-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 万松 ,  张威 ,  苏卫国 ,  李宋 ,  陈广忠 ,  徐楷斯

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明公开一种集成温度补偿模块的电容式加速度计读出电路。传统的读出电路在电荷放大器后级对输出进行校正，信号放大的同时，噪声也放大相同的增益。本发明公开的读出电路采用不同的处理办法：温度补偿模块通过改变相应可变电容的容值来实时调整电荷放大器的增益和偏置，从而抵消温漂。其优点是有更高的信噪比。同时，为降低应用复杂性，提供了简单易用的数据接口，用户仅需要通过GPIO设备以及PC即可完成标定以及温度补偿功能。最后，考虑到温度传感器测得当前温度与加速度计感受到这个温度之间有时间差，电路能够缓存多个温度采样值，补偿时采用该时间差之前的采样值，从而提高补偿的动态特性。