一种带有参考真空室的MEMS皮拉尼计

    公开(公告)号:CN104931193A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201410100481.3

    申请日:2014-03-19

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种带有参考真空室的MEMS皮拉尼计。其特征在于,同一衬底上的两个微型皮拉尼计,其中一支真空封装在参考室内。将两支皮拉尼计一起置于测试环境中,同时输入相同的激励信号,通过外围电路测出对应的输出信号。其中真空封装的皮拉尼计不受所测环境真空度的影响,其阻值的变化主要由环境温度引起。未封装的皮拉尼计的阻值则同时受到环境气压和环境温度的影响。将两支皮拉尼计测得的输出信号差作为真空度测量信号,即可消除环境温度造成的皮拉尼计读数误差。

    一种新型MEMS电容式加速度计温度补偿电路

    公开(公告)号:CN104914275A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201410087875.X

    申请日:2014-03-10

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开一种集成温度补偿模块的电容式加速度计读出电路。传统的读出电路在电荷放大器后级对输出进行校正,信号放大的同时,噪声也放大相同的增益。本发明公开的读出电路采用不同的处理办法:温度补偿模块通过改变相应可变电容的容值来实时调整电荷放大器的增益和偏置,从而抵消温漂。其优点是有更高的信噪比。同时,为降低应用复杂性,提供了简单易用的数据接口,用户仅需要通过GPIO设备以及PC即可完成标定以及温度补偿功能。最后,考虑到温度传感器测得当前温度与加速度计感受到这个温度之间有时间差,电路能够缓存多个温度采样值,补偿时采用该时间差之前的采样值,从而提高补偿的动态特性。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN102976263B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201210533530.3

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器,在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性;是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种热应力隔离的MEMS微加热器互联基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN103274349A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310149322.8

    申请日:2013-04-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种热应力隔离的MEMS微加热器互联基板及其制备方法。本发明的MEMS微加热器互联基板包括:在衬底上形成绝缘层;在绝缘层上形成加热电阻;在加热电阻上形成第一隔离层,加热电阻镶嵌在第一隔离层的下表面;在第一隔离层上形成热沉;在热沉上形成第二隔离层;在第二隔离层上互联层;在衬底的四周设置弹簧;在弹簧的外围设置边框。本发明的MEMS微加热器互联基板,通过四周弹簧结构的设计能实现衬底热应力吸收,使MEMS微加热器互联基板具有热应力隔离的功能,该MEMS微加热器互联基板包含互联层,支持多芯片互联,并且主体结构为硅基材料,与半导体芯片的热匹配性很好,可采用MEMS工艺加工,适用于大规模制备。

    一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法

    公开(公告)号:CN102963864A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210532250.0

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘,然后旋涂一定厚度的光刻胶,之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔,最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,平整高、键合温度低,工艺实现方便,具有与集成电路兼容的特性;并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜,使得BCB胶平整性好,在键合过程中受力均匀,从而能有效降低BCB胶的形变,避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上,提高了MEMS器件可靠性。

    一种基于MEMS弹簧的微型减振平台

    公开(公告)号:CN104864010A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201410058128.3

    申请日:2014-02-20

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: F16F3/10 F16F15/08

    Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS弹簧的微型减振平台。本发明的微型减振平台主要由三层单元隔振平台组成,上层和中层单元隔振平台的下表面都均匀涂有减振胶,中层和下层单元隔振平台的上表面有凸台阵列,每层单元隔振平台的四周设有平面弹簧,平面弹簧的外围设有边框。本发明的微型减振平台通过平面弹簧形变及凸台阵列和减振胶的完全非弹性碰撞,可有效延长撞击时间并吸收冲击的能量。凸台阵列和减振胶撞击后三层平台成为一个整体,弹簧刚度成倍增加,实现了大阻尼减振。若在液体环境中使用,高频冲击下平面弹簧与隔振平台之间的间隔以及每层隔振平台之间的间隔可以产生较大的滑膜阻尼和压膜阻尼。其主体结构为硅基材料,适合采用MEMS工艺大规模制备。

    基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法

    公开(公告)号:CN104555904A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201310479034.9

    申请日:2013-10-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法。本发明采用先在辅助圆片上涂覆BCB胶,然后将带有三维结构的圆片与辅助片放在一起,进行BCB胶转印,之后去掉转印完的辅助片,并对结构片上的BCB胶进行处理,最后将带有BCB胶的结构片,与器件圆片放入键合机中进行对准并键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,键合温度低,热应力小,工艺实现方便;采用转印工艺,可以实现复杂结构的顶盖与器件圆片直接进行BCB键合;选用合适的BCB预处理条件,完成BCB部分聚合化,能有效降低BCB的形变,避免BCB粘附到器件上。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103017946B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201210518572.X

    申请日:2012-12-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103017946A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210518572.X

    申请日:2012-12-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种MEMS微加速度传感器及其应用

    公开(公告)号:CN102298073A

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN201110145926.6

    申请日:2011-06-01

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS微加速度传感器及其应用,属于半导体制造技术领域。本发明微加速度传感器包括:敏感质量块、横梁、横梁上的压阻、金属连线、亚焊点及硅衬底,敏感质量块与横梁固定,横梁作为敏感质量块的支撑臂位于加速度传感器的中轴位置,该横梁的底部固定在衬底上。根据本发明设计的微加速度传感器,由于敏感质量块位于横梁两端,使得在施加一定加速度a时,系统通过敏感质量块上下振动,间接增大了敏感质量块的质量M,使得灵敏度S提高,从而在系统体积V比较小的情况下可以测量较高的g值,实现高灵敏度加速度传感器的测量。

Patent Agency Ranking