一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN102976263A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210533530.3

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器,在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性;是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN102938350A

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:CN201210482969.8

    申请日:2012-11-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括:可动电极和固定电极;可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、第一锚点和触点;固定电极包括第二锚点和悬臂梁。本发明的微冲击开关,固定电极采用多对悬臂梁,降低了固定电极的刚度,并在可动电极的质量块的前端增加了一个触点弹簧,形成刚度较小的可动触点,这些结构均有利于增加质量块在接触状态下的运动位移,降低碰撞反弹效应,从而延长接触时间,提高器件稳定性和可靠性。本发明在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN102976263B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201210533530.3

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器,在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性;是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法

    公开(公告)号:CN102963864A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210532250.0

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘,然后旋涂一定厚度的光刻胶,之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔,最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,平整高、键合温度低,工艺实现方便,具有与集成电路兼容的特性;并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜,使得BCB胶平整性好,在键合过程中受力均匀,从而能有效降低BCB胶的形变,避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上,提高了MEMS器件可靠性。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103017946B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201210518572.X

    申请日:2012-12-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103017946A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210518572.X

    申请日:2012-12-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采用斜注入的方法制备压阻条,在悬臂梁的垂直面和水平面同时制备形成一体的压阻条,使得在施加一定微作用力时,悬臂梁通过横向和垂向的敏感弯曲,弯曲时电阻值的变化间接反映了来自于垂直方向和水平方向的微作用力的情况。从而在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力,是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器,在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

    一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法

    公开(公告)号:CN102963864B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201210532250.0

    申请日:2012-12-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘,然后旋涂一定厚度的光刻胶,之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔,最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,平整高、键合温度低,工艺实现方便,具有与集成电路兼容的特性;并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜,使得BCB胶平整性好,在键合过程中受力均匀,从而能有效降低BCB胶的形变,避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上,提高了MEMS器件可靠性。

    一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN102938350B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201210482969.8

    申请日:2012-11-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括:可动电极和固定电极;可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、第一锚点和触点;固定电极包括第二锚点和悬臂梁。本发明的微冲击开关,固定电极采用多对悬臂梁,降低了固定电极的刚度,并在可动电极的质量块的前端增加了一个触点弹簧,形成刚度较小的可动触点,这些结构均有利于增加质量块在接触状态下的运动位移,降低碰撞反弹效应,从而延长接触时间,提高器件稳定性和可靠性。本发明在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

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