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公开(公告)号：CN104267426B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410449770.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地 , 北京大学
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/24521
Abstract: 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。
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公开(公告)号：CN104267426A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410449770.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/24521
Abstract: 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ-W/cosθ。
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公开(公告)号：CN1953315B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610113570.7
申请日：2006-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN101211861A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610170724.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Post－CMOS或Intermediate－CMOS工艺，利用SOI CMOS工艺和SOI微机械加工技术，在SOI硅片上实现微传感器阵列与信号调理等电路的单片集成。本发明工艺简单、加工成本低、体积小、可靠性高，该集成传感器在医学、环境、食品、军事等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100356071C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410009702.2
申请日：2004-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: F04F5/00
Abstract: 本发明提供了一种微型射流泵及其制备方法，泵体包括驱动结构和抽吸结构，驱动结构是由射流喷嘴和与之相连的驱动腔组成，驱动腔上设有驱动流体人口孔，抽吸结构包括抽吸入口端、抽吸流道和扩散出口，射流喷嘴位于扩散出口处，抽吸流道设在射流喷嘴的两侧，高压驱动气体或液体经过驱动流体人口孔进入驱动腔，在射流喷嘴出口处产生高速射流，同时在其边界处产生涡旋，涡旋卷吸抽吸流道内的流体进入射流，两种不同流速的混合流体共同流入扩散出口。微型射流泵的制备利用MEMS工艺设计，通过两张光刻版就可以实现，泵体材料的可选择范围大、易于和大多数微流体系统集成。
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公开(公告)号：CN1601115A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009702.2
申请日：2004-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: F04F5/00
Abstract: 本发明提供了一种微型射流泵及其制备方法，泵体包括驱动结构和抽吸结构，驱动结构是由射流喷嘴和与之相连的驱动腔组成，驱动腔上设有驱动流体人口孔，抽吸结构包括抽吸入口端、抽吸流道和扩散出口，射流喷嘴位于扩散出口处，抽吸流道设在射流喷嘴的两侧，高压驱动气体或液体经过驱动流体人口孔进入驱动腔，在射流喷嘴出口处产生高速射流，同时在其边界处产生涡旋，涡旋卷吸抽吸流道内的流体进入射流，两种不同流速的混合流体共同流入扩散出口。微型射流泵的制备利用MEMS工艺设计，通过两张光刻版就可以实现，泵体材料的可选择范围大、易于和大多数微流体系统集成。
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公开(公告)号：CN1599250A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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公开(公告)号：CN115692511A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211275332.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。本公开还提供了一种二极管的制备方法。
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