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公开(公告)号：CN104267426A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410449770.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/24521
Abstract: 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ-W/cosθ。
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公开(公告)号：CN104267426B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410449770.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地 , 北京大学
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/24521
Abstract: 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。
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公开(公告)号：CN103207545A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310097604.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。
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公开(公告)号：CN103207545B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310097604.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。
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