-
公开(公告)号：CN113628944B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110686254.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
-
公开(公告)号：CN110164581B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910283992.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: G21H1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，属于微型核电池领域。该电池从下至上依次是放射性贝塔同位素源、半导体薄膜、掺杂区、欧姆接触重掺杂区、绝缘钝化层、平面电极；PN结是由半导体薄膜与掺杂区构成；平面电极包含正负电极，与欧姆接触重掺杂区采用点接触方式实现电学导通。本发明的半导体薄膜的厚度与放射性贝塔同位素源的最大输入深度匹配，减小了电池体积，放射性贝塔同位素源制备于背面，避免了重掺杂层对辐射能的损耗，提高了电池的功率密度以及转换效率。
-
公开(公告)号：CN102313625A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110140216.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法，该真空计主要包括衬底、相对设置的电极对和碳纳米管；其中，电极对制作在衬底上，碳纳米管搭载在电极对之间；通过电极对给碳纳米管加恒定的电流或电压加热，由于真空度不同气体热传导特性不同，因此碳纳米管恒定温度不同，又碳纳米管电阻随温度而变化，通过测量碳纳米管电阻测得真空度。本发明的碳纳米管皮拉尼真空计结构简单，体积小，性能稳定，采用的碳纳米管具有较高的电阻温度系数和导电性，因此响应快、气压测量范围宽、灵敏度高、功耗低。而且其制造工艺简单、成本低、成品率高、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN102737746B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110092568.7
申请日：2011-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法。该同位素电池包括换能结构和源结构两部分，换能结构包括第一衬底和其上由功函数高于碳纳米管费米能级的金属电极和功函数低于碳纳米管费米能级的金属电极组成的电极对，半导体性碳纳米管定向排布于电极对间，且两端分别与两个金属电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。本发明的同位素电池体积小，转换效率高，而且结构简单，易于实现，可以长时间工作于各种复杂的环境。
-
公开(公告)号：CN102290968B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110164362.0
申请日：2011-06-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种微发电机，包括收集电极结构和驻极体结构，设置在收集电极结构和驻极体结构之间作为轴承的微型球，其中，所述收集电极结构包括：一衬底；设置在衬底上且与衬底绝缘的若干金属电极对；设置在衬底上与金属电极对垂直分布的深槽；所述驻极体结构包括：一衬底；设置在衬底上成条状间隔平行排布的驻极体条；设置在衬底上与驻极体条垂直分布的深槽；收集电极结构上的深槽和驻极体结构上的深槽相对放置，微型球放置在相对的深槽中，驻极体条与电极条相互平行。本发明以微型球作为轴承支撑，可以通过槽深或槽宽来控制金属电极与驻极体之间的间距，有利于提高微型发电机的输出功率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103523742A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310508920.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐射剂量探测器的MOS结构具有高缺陷密度、大厚度的氧化层。利用本发明MOS结构的辐射剂量探测器，测量时在较低电压下就可以获得较大的电流，提高了灵敏度，降低了测量难度。
-
公开(公告)号：CN102737746A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110092568.7
申请日：2011-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法。该同位素电池包括换能结构和源结构两部分，换能结构包括第一衬底和其上由功函数高于碳纳米管费米能级的金属电极和功函数低于碳纳米管费米能级的金属电极组成的电极对，半导体性碳纳米管定向排布于电极对间，且两端分别与两个金属电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。本发明的同位素电池体积小，转换效率高，而且结构简单，易于实现，可以长时间工作于各种复杂的环境。
-
公开(公告)号：CN101362586B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810222286.2
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS密封封装方法，该方法包括：在玻璃片或者硅片上腐蚀出与MEMS器件相匹配的底部开口的微封盖结构，在该微封盖墙体的底端腐蚀出一凹槽；MEMS器件及其电极制备在一衬底上，在上述MEMS器件周围衬底的键合密封区域制备一隔离层，在隔离层上或者微封盖的底端凹槽内设置填充物；将上述微封盖与衬底键合，微封盖的底端凹槽位于隔离层上，形成一填充密封腔；上述填充物位于该填充密封腔内，加热使上述填充物熔融，实现微封盖密封MEMS器件。本发明既可以保留平面引线工艺，利于集成制造，又提高了密封的强度和性能。
-
公开(公告)号：CN101571440A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810105177.2
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于器件级真空封装的真空度测量装置，属于微纳器件与系统的低压封装和真空封装技术领域。本发明在器件级真空封装体中加入一微型低压传感器，该微型低压传感器包括一金属丝，所述金属丝的两端固定在器件级真空封装体内预留的两个压焊点上。本发明通过连接金属丝的管脚即可进行真空测试，很方便的实现了芯片和真空测量计在同一真空封装体中的兼容，提供了便捷的真空度测量手段，大大降低了真空度的测量成本，提高了测量精度。
-
公开(公告)号：CN119542091A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411520259.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射器件及其制备方法，属于真空微纳电子器件领域。本发明制备的场发射器件包括栅‑阳极一体结构和阴极结构；栅‑阳极一体结构包括位于高导电阳极背面的金属电极，位于高导电阳极正面的阳极‑栅极绝缘层，位于阳极‑栅极绝缘层上的图形化栅极层，位于栅极层上的栅极‑阴极绝缘层，以及位于栅极‑阴极绝缘层上的栅极金属引线电极；其中栅极金属引线电极临近栅极工作区域，连接于栅极层；阴极结构包括衬底，位于衬底正面的阴极，以及位于阴极背面的金属电极；阴极结构的阴极一侧固定在栅‑阳极一体结构的栅极工作区域的栅极‑阴极绝缘层上。本发明能够增强器件的性能优化与调控能力，降低制备成本和难度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.021 seconds)
