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公开(公告)号：CN118543517A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410769196.4
申请日：2024-06-14
申请人： 北京大学
摘要： 本申请涉及超声换能器技术领域，具体提供一种压电微机械超声换能器及其调节方法、装置、设备及介质，旨在解决超声换能器的实际工作频率与设计频率产生偏差导致信号幅度急剧减小影响使用的问题。为此，本申请的方法包括：获取不给压电微机械超声换能器施加直流电压偏置时的目标谐振频率及为其施加直流电压偏置时的实际谐振频率，判断是否满足预设匹配条件，若满足，则完成压电微机械超声换能器的性能调节；否则，动态调整直流电压偏置及压电微机械超声换能器的顶电极的厚度，获取所述压电微机械超声换能器的当前谐振频率作为实际谐振频率，继续执行判断是否满足预设匹配条件的步骤，能够有效提高压电微机械超声换能器的工作性能，降低频率偏差。
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公开(公告)号：CN116021889A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310035012.7
申请日：2023-01-10
申请人： 北京大学
IPC分类号： B41J2/14
摘要： 本发明属于打印技术领域，具体涉及一种压电式打印喷头及压电式打印喷头组件。本发明中的压电式打印喷头包括压电薄膜、衬底结构和喷嘴，所述压电薄膜的横截面为第一椭圆面或者第一椭圆面的一部分，所述衬底结构包括压力部，所述压力部内具有压力腔，所述压电薄膜设于所述压力部的顶端且与所述压力腔对应设置，所述喷嘴设于所述压力部的底端，所述喷嘴内部与所述压力腔相连通。通过使用本技术方案中的压电式打印喷头，压电薄膜的横截面为第一椭圆面或者第一椭圆面的一部分，相较于现有的矩形压电薄膜，在相同驱动电压、薄膜面积与形状长宽比的条件下，具有更高的体积位移形变量，并且可以减小喷嘴处流速的残余振荡，减少卫星滴的产生。
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公开(公告)号：CN116373460A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310301029.2
申请日：2023-03-24
申请人： 北京大学
摘要： 本申请属于喷墨打印技术和集成电路微纳系统技术领域，具体涉及一种MEMS压电打印喷头、打印装置及制备喷头的方法。该MEMS压电打印喷头包含盖板，盖板具备第一主面与第二主面，第一主面设有沟槽，第二主面设有压电驱动部件；该喷头还包含底板，底板上设有进墨孔、第一流道、第二流道，及与第二流道相邻的喷孔，第二流道具备远离喷孔的进口端及靠近喷孔的出口端，第二流道的宽度自进口端向出口端延伸时依次递减；盖板与底板围合形成喷头，沟槽形成压力腔，第一流道形成储墨腔，第二流道形成阻尼腔。包含该结构的MEMS压电打印喷头能实现持续稳定流量的喷墨，阻尼腔可以降低流阻，增加墨滴喷出速度，在降低喷头出现堵塞的概率的同时也降低了喷头的功耗，其可进一步的形成高密度布置的喷头阵列，在包装应用、印刷电子、显示和生物打印等工业市场或其他消费类应用市场具备较好应用前景。
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公开(公告)号：CN116001447A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310035008.0
申请日：2023-01-10
申请人： 北京大学
IPC分类号： B41J2/14
摘要： 本发明属于微加工技术领域，具体涉及一种压电式打印喷头及其制备方法。本发明中的压电式打印喷头的制备方法包括准备盖片衬底，盖片衬底包括主体层，利用感应耦合等离子体‑化学气相沉积法，在主体层的一侧制备耗尽层，准备底片衬底，将底片衬底与耗尽层在预设温度下通过阳极键合的方式连接为一体，并形成压电式打印喷头，预设温度为300℃‑400℃。通过使用本技术方案中的压电式打印喷头的制备方法，将底片衬底与耗尽层在预设温度下通过阳极键合的方式连接为一体，预设温度为300℃‑400℃，能够使得制备压电式打印喷头的制备流程中的工艺温度处于较低温度，进而使键合工艺能够兼容盖片衬底的压电层材料。
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公开(公告)号：CN116854026A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310729121.9
申请日：2023-06-19
申请人： 北京大学
摘要： 本申请实施例公开了一种PMUT接收阵列的制备方法和系统，所述方法包括：将硅片作为PMUT的基底；对硅片进行底电极与压电层的沉积处理；对顶电极进行沉积和图案化处理；对压电层进行刻蚀和图案化处理；沉积金属导线层和电板，并对电板进行图案化处理；采用深反应离子刻蚀DRIE制作空腔，选择SOI硅片基底以及二氧化硅作为DRIE刻蚀的停止层。能够实现大带宽PMUT接收阵的制备，有助于提高现有三维成像设备分辨率和成像精度。
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公开(公告)号：CN116494647A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310376214.8
申请日：2023-04-10
申请人： 北京大学
摘要： 本发明涉及一种喷墨打印装置和压电式喷墨打印机，旨在解决现有的喷墨打印装置中的喷墨打印单元之间声学干扰严重的技术问题。喷墨打印装置包括：供墨通道；至少二个喷墨打印单元，至少二个喷墨打印单元彼此平行且间隔排列，至少二个喷墨打印单元均与供墨通道连通，每个喷墨打印单元均包括：压力腔室；限流腔室，限流腔室设置在供墨通道和压力腔室之间；隔离腔室，隔离腔室设置在供墨通道和限流腔室之间，压力腔室依次通过限流腔室和隔离腔室与供墨通道连通，隔离腔室的沿垂直于长度方向的截面面积大于限流腔室的沿垂直于长度方向的截面面积；压电驱动模块，压电驱动模块连接至压力腔室，压力腔室在压电驱动模块的驱动下产生声波。
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公开(公告)号：CN101571440A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810105177.2
申请日：2008-04-29
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种应用于器件级真空封装的真空度测量装置，属于微纳器件与系统的低压封装和真空封装技术领域。本发明在器件级真空封装体中加入一微型低压传感器，该微型低压传感器包括一金属丝，所述金属丝的两端固定在器件级真空封装体内预留的两个压焊点上。本发明通过连接金属丝的管脚即可进行真空测试，很方便的实现了芯片和真空测量计在同一真空封装体中的兼容，提供了便捷的真空度测量手段，大大降低了真空度的测量成本，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN116469837A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310246317.2
申请日：2023-03-07
申请人： 北京大学
摘要： 本申请属于传感器技术领域，具体涉及一种键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备。本申请中的键合结构包括：第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆、第二晶圆之间设有至少一组键合区域与至少两组错位结构，错位结构位于键合区域两侧；键合区域包括形成于第一晶圆表面的铝键合层、形成于第二晶圆表面的锗键合层，锗键合层与铝键合层键合接触；错位结构包括位于铝键合层两侧的凸起，及位于锗键合层两侧的沟槽，凸起伸入沟槽形成错位结构。解决了现有传感器，尤其是压电MEMS传感器中的铝锗共晶键合存在共晶流动和延展现象导致的键合工艺窗口以及均匀性难以控制，及铝锗键合精细度不足、尺寸大等问题。包含该键合结构的压电MEMS传感器在可穿戴设备中具备较好应用前景。
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