公开(公告)号：CN103523742B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310508920.X

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  杨钰淏

IPC: G01T1/24

Abstract: 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐射剂量探测器的MOS结构具有高缺陷密度、大厚度的氧化层。利用本发明MOS结构的辐射剂量探测器，测量时在较低电压下就可以获得较大的电流，提高了灵敏度，降低了测量难度。

公开(公告)号：CN103523742A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310508920.X

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  杨钰淏

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐射剂量探测器的MOS结构具有高缺陷密度、大厚度的氧化层。利用本发明MOS结构的辐射剂量探测器，测量时在较低电压下就可以获得较大的电流，提高了灵敏度，降低了测量难度。