公开(公告)号：CN110164581B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910283992.6

申请日：2019-04-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  吴蒙

IPC: G21H1/02

Abstract: 本发明公开了一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，属于微型核电池领域。该电池从下至上依次是放射性贝塔同位素源、半导体薄膜、掺杂区、欧姆接触重掺杂区、绝缘钝化层、平面电极；PN结是由半导体薄膜与掺杂区构成；平面电极包含正负电极，与欧姆接触重掺杂区采用点接触方式实现电学导通。本发明的半导体薄膜的厚度与放射性贝塔同位素源的最大输入深度匹配，减小了电池体积，放射性贝塔同位素源制备于背面，避免了重掺杂层对辐射能的损耗，提高了电池的功率密度以及转换效率。

公开(公告)号：CN110164581A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910283992.6

申请日：2019-04-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  吴蒙

IPC: G21H1/02

Abstract: 本发明公开了一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，属于微型核电池领域。该电池从下至上依次是放射性贝塔同位素源、半导体薄膜、掺杂区、欧姆接触重掺杂区、绝缘钝化层、平面电极；PN结是由半导体薄膜与掺杂区构成；平面电极包含正负电极，与欧姆接触重掺杂区采用点接触方式实现电学导通。本发明的半导体薄膜的厚度与放射性贝塔同位素源的最大输入深度匹配，减小了电池体积，放射性贝塔同位素源制备于背面，避免了重掺杂层对辐射能的损耗，提高了电池的功率密度以及转换效率。