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公开(公告)号：CN102543239B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210004773.8
申请日：2012-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能结构包括衬底、背电极、以及图形化的绝缘层和绝缘层上的正面电极；换能结构衬底的正面具有三维阵列结构，表面沉积有碳纳米管薄膜；碳纳米管薄膜与衬底的接触部分形成异质结，与正面电极形成欧姆接触；源结构包括衬底和衬底表面的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，而源结构的放射性同位素膜和换能结构的异质结相对，位于封接形成的空腔内。该同位素电池中的三维结构有效增大了器件作用面积，提高了器件性能；碳纳米管薄膜与其他半导体材料接触形成的异质结提高了同位素电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102543239A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004773.8
申请日：2012-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能结构包括衬底、背电极、以及图形化的绝缘层和绝缘层上的正面电极；换能结构衬底的正面具有三维阵列结构，表面沉积有碳纳米管薄膜；碳纳米管薄膜与衬底的接触部分形成异质结，与正面电极形成欧姆接触；源结构包括衬底和衬底表面的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，而源结构的放射性同位素膜和换能结构的异质结相对，位于封接形成的空腔内。该同位素电池中的三维结构有效增大了器件作用面积，提高了器件性能；碳纳米管薄膜与其他半导体材料接触形成的异质结提高了同位素电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102737746B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110092568.7
申请日：2011-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法。该同位素电池包括换能结构和源结构两部分，换能结构包括第一衬底和其上由功函数高于碳纳米管费米能级的金属电极和功函数低于碳纳米管费米能级的金属电极组成的电极对，半导体性碳纳米管定向排布于电极对间，且两端分别与两个金属电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。本发明的同位素电池体积小，转换效率高，而且结构简单，易于实现，可以长时间工作于各种复杂的环境。
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公开(公告)号：CN102737746A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110092568.7
申请日：2011-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法。该同位素电池包括换能结构和源结构两部分，换能结构包括第一衬底和其上由功函数高于碳纳米管费米能级的金属电极和功函数低于碳纳米管费米能级的金属电极组成的电极对，半导体性碳纳米管定向排布于电极对间，且两端分别与两个金属电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。本发明的同位素电池体积小，转换效率高，而且结构简单，易于实现，可以长时间工作于各种复杂的环境。
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