公开(公告)号：CN1292541C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200410009425.5

申请日：2004-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 阮勇 ,  张大成 ,  郝一龙 ,  王阳元 ,  王丛舜 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  王玮 ,  王颖 ,  王兆江

IPC: H03K17/72

Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上极板和上极板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上极板和上极板驱动金属板相对应的开关下极板和下极板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。

公开(公告)号：CN1599250A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410009425.5

申请日：2004-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 阮勇 ,  张大成 ,  郝一龙 ,  王阳元 ,  王丛舜 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  王玮 ,  王颖 ,  王兆江

IPC: H03K17/72

Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。