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公开(公告)号：CN103575407A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210250321.8
申请日：2012-07-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供的太赫兹辐射探测器由太赫兹敏感结构和含有读出电路的衬底基片组成，太赫兹敏感结构包括太赫兹吸收结构、热转换层和保护层。当被动/主动太赫兹波通过太赫兹物镜聚焦到太赫兹敏感结构上时，通过太赫兹吸收结构将吸收的能量转换成热能，进而通过热转换层使热能转化成电学信号，再通过衬底基片上的电路读出电学信号。本发明提供的太赫兹微测辐射热计工作在非制冷环境下，可进行单点探测，也可以通过焦平面阵列实现太赫兹成像。
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公开(公告)号：CN103575403A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210250324.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的太赫兹焦平面阵列的设计，属于太赫兹探测和微电子机械系统技术领域。本发明提供的太赫兹焦平面阵列由多个双材料微悬臂梁像元组成，当被动/主动太赫兹波通过太赫兹物镜聚焦到太赫兹焦平面阵列时，通过设计在双材料微悬臂梁像元表面的太赫兹吸收结构将吸收的能量转换成热能，双材料效应使微悬臂梁像元发生弯曲，光学检测系统读出多个微悬臂梁像元的形变量和分布，最终通过数据图像处理模块以光强图像的方式将被测物体的太赫兹场显示出来。本发明提供的太赫兹焦平面阵列工作在非制冷环境下，用于进行太赫兹成像。
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公开(公告)号：CN102509728A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110338955.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器的设计和制备方法，特别是关于一种基于单晶硅PN结温度特性的多波段非制冷红外探测器的设计和制备。本发明所提供的红外探测器由红外焦平面阵列、支撑焦平面阵列的衬底以及位于上述衬底上的驱动和读出电路组成；其中，PN结作为红外探测器中温度敏感单元设置在焦平面阵列的像元内，将吸收的热能转化成电压信号输出；设置于像元上的红外吸收结构层用于实现吸收不同波段的红外辐射；焦平面阵列信号最终由读出电路输出。本发明提供的红外探测器可实现非制冷工作和多波段红外探测。
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公开(公告)号：CN101767766B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN102180440A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110085240.2
申请日：2011-04-06
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种微纳机电器件中纳米间隙电极的制备方法，属于微纳机电系统领域。该方法选用一种合适的材料做牺牲层，首先采用回刻的方式制备纳米尺度的牺牲层侧墙结构，侧墙需要有一定的高度，再淀积一层薄的金属层或其它电极材料，然后选择性腐蚀掉牺牲层侧墙材料，附着在侧墙上的金属或其它电极材料将一同被腐蚀掉，并在侧墙的位置形成一个间隙。通过控制牺牲层侧墙的厚度至纳米量级而制备纳米间隙电极。本发明与常规的半导体加工工艺兼容，易于大规模生产，而且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435272C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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公开(公告)号：CN1804043A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510011180.4
申请日：2005-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种微型聚合酶链式反应(PCR)芯片系统及其制备方法，涉及生物微机电系统技术领域。该PCR芯片包括若干个用于DNA扩增的阱式反应池，反应池通过若干流道与进出液口连接。在芯片上集成微加热器和微传感器，通过温度循环控制系统进行DNA扩增。可以在该芯片上设置微泵，在反应池入口处设置微阀，用于DNA引物的导入及反应池间的隔离。也可以在上述系统中设置荧光激发光源、荧光探测装置及荧光信号检测分析系统进行PCR产物的荧光在位检测。采用MEMS技术加工技术或微模型制备该芯片系统，该生物芯片系统提供了高通量和快速的DNA扩增手段，并具有便于携带、成本低和性能可靠的优点。
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公开(公告)号：CN1536335A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03109491.0
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，其特征在于：所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，所述悬臂梁上具有一窗口，使所述悬臂梁呈U形设置在所述芯片上，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明可以通过正面腐蚀技术和硅～玻璃键合技术将悬臂梁设计、制备在液体可流动的微槽中，以直接用于液态生物分子的检测。本发明无论是应用在气体传感器上，还是生物传感器上，都将在减小器件尺寸、提高器件灵敏度以及实现传感器的多功能性上发挥重要作用。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111525273A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010391879.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面贝塞尔透镜，属于太赫兹技术领域。该太赫兹贝塞尔透镜的超表面包括若干个谐振子阵列单元，每个谐振子的特征尺寸是亚工作波长，谐振子阵列单元的设计为：对太赫兹贝塞尔透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用离散后的相位值和太赫兹贝塞尔透镜的相位分布关系仿真得到谐振子阵列单元的特征尺寸；若谐振子阵列在一个维度上的谐振子结构和尺寸相同，在另一个维度上的谐振子结构和尺寸则不同，或者，所述谐振子阵列在两个维度上的谐振子结构和尺寸均不同。本发明提供的太赫兹贝塞尔透镜易于调节参数、制备工艺简单，极薄、尺寸小，容易实现集成化和微型化。
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公开(公告)号：CN111157486A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811323159.1
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种三维太赫兹成像方法，具体涉及一种频域太赫兹相干层析成像方法。宽带太赫兹波被分成探测波和参考波，探测波被聚焦成点波束或线波束入射到被测物体上，参考波则是被原路反射回。不同频率的探测波入射到物体的不同深度处发生背向散射，背向散射回的携带物体深度信息的探测波与参考波的光程差恒定发生干涉；干涉信号经光栅分频后聚焦到线阵型或者面阵型太赫兹探测器上，探测器的不同像元探测不同频率和不同位置的干涉信号的振幅信息；对被测物体进行一维或者二维平面的连续扫描并实时采集扫描的相干信息，最终得到物体的全部三维结构数据。该方法可以显著提高太赫兹三维成像的速度并且可以在高信噪比的情况下获得高的纵向分辨率。
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