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公开(公告)号：CN101767766B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN101995295B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910090545.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用。该红外焦平面阵列，由微悬臂梁像元阵列、支撑所述微悬臂梁像元阵列的衬底和位于所述衬底上的电路组成；其中，所述微悬臂梁像元阵列由红外吸收面、悬臂梁支腿、MOSFET器件、输出引线和支撑锚点组成。本发明提供的红外焦平面阵列没有任何的特殊工艺，具有易于与IC实现单片集成的优点，适于工业大批量制备，易得到不同精度需求的产品。并为高分辨率提供了极大的提升空间，极大的简化了电路规模和设计成本，为大规模产业化提供了可行的设计方案。
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公开(公告)号：CN101767766A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN101995295A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910090545.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用。该红外焦平面阵列，由微悬臂梁像元阵列、支撑所述微悬臂梁像元阵列的衬底和位于所述衬底上的电路组成；其中，所述微悬臂梁像元阵列由红外吸收面、悬臂梁支腿、MOSFET器件、输出引线和支撑锚点组成。本发明提供的红外焦平面阵列没有任何的特殊工艺，具有易于与IC实现单片集成的优点，适于工业大批量制备，易得到不同精度需求的产品。并为高分辨率提供了极大的提升空间，极大的简化了电路规模和设计成本，为大规模产业化提供了可行的设计方案。
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