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公开(公告)号：CN113371673B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110566107.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法，该混合集成传感微系统的组件包括多通道微传感器、微传感器信号调理电路、微控制单元、射频电路模块、外围设备和支持电路等伺服电路，所述全部组件采用体硅工艺或者SOI工艺集成制备，将微传感器、模拟CMOS电路和数字CMOS电路单芯片集成在一起，或将部分组件单芯片集成在一起，再与剩余组件系统级集成在一起。所述集成传感微系统的一种单芯片集成制备方法，基于部分耗尽SOI CMOS工艺，利用部分耗尽SOI CMOS工艺完成大部分微传感器平面加工步骤，在SOICMOS的制备工序结束以后，完成剩余微传感器的加工步骤。本发明的集成传感微系统具有多通道信号并行检测、信号远程传输、信噪比高、成本低、体积小、功耗低、便于携带等技术优势。
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公开(公告)号：CN113371673A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110566107.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法，该混合集成传感微系统的组件包括多通道微传感器、微传感器信号调理电路、微控制单元、射频电路模块、外围设备和支持电路等伺服电路，所述全部组件采用体硅工艺或者SOI工艺集成制备，将微传感器、模拟CMOS电路和数字CMOS电路单芯片集成在一起，或将部分组件单芯片集成在一起，再与剩余组件系统级集成在一起。所述集成传感微系统的一种单芯片集成制备方法，基于部分耗尽SOI CMOS工艺，利用部分耗尽SOI CMOS工艺完成大部分微传感器平面加工步骤，在SOICMOS的制备工序结束以后，完成剩余微传感器的加工步骤。本发明的集成传感微系统具有多通道信号并行检测、信号远程传输、信噪比高、成本低、体积小、功耗低、便于携带等技术优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115118238B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110309835.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
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公开(公告)号：CN117516786A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311423046.X
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及微机电系统和集成电路技术领域，特别是关于一种单芯片集成式三轴力传感器及其制备方法。集成式三轴力传感器由三轴力传感器和电路系统组成，三轴力传感器由应变体、位于应变体中央的受力体、支撑应变体和受力体的框架、以及嵌入于应变体中的力敏电阻组成，能同时检测法向力与剪切力；电路系统实现三轴力传感器信号的高信噪比检测。所述集成式三轴力传感器使用SOI CMOS或者体硅CMOS工艺，以及post‑MEMS工艺把三轴力传感器和电路系统制备在一个芯片上，可显著提高三轴力传感器的信噪比，实现三轴力高分辨率、高线性度、低耦合、低温漂传感检测，还可以减小三轴力传感器的体积、重量和成本。
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公开(公告)号：CN115118238A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110309835.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
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公开(公告)号：CN111525273B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010391879.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面贝塞尔透镜，属于太赫兹技术领域。该太赫兹贝塞尔透镜的超表面包括若干个谐振子阵列单元，每个谐振子的特征尺寸是亚工作波长，谐振子阵列单元的设计为：对太赫兹贝塞尔透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用离散后的相位值和太赫兹贝塞尔透镜的相位分布关系仿真得到谐振子阵列单元的特征尺寸；若谐振子阵列在一个维度上的谐振子结构和尺寸相同，在另一个维度上的谐振子结构和尺寸则不同，或者，所述谐振子阵列在两个维度上的谐振子结构和尺寸均不同。本发明提供的太赫兹贝塞尔透镜易于调节参数、制备工艺简单，极薄、尺寸小，容易实现集成化和微型化。
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公开(公告)号：CN111525273A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010391879.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面贝塞尔透镜，属于太赫兹技术领域。该太赫兹贝塞尔透镜的超表面包括若干个谐振子阵列单元，每个谐振子的特征尺寸是亚工作波长，谐振子阵列单元的设计为：对太赫兹贝塞尔透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用离散后的相位值和太赫兹贝塞尔透镜的相位分布关系仿真得到谐振子阵列单元的特征尺寸；若谐振子阵列在一个维度上的谐振子结构和尺寸相同，在另一个维度上的谐振子结构和尺寸则不同，或者，所述谐振子阵列在两个维度上的谐振子结构和尺寸均不同。本发明提供的太赫兹贝塞尔透镜易于调节参数、制备工艺简单，极薄、尺寸小，容易实现集成化和微型化。
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