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公开(公告)号：CN112254586A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010912877.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面。本发明提供的复合含能薄膜半导体桥，相比于传统的半导体桥，将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层，取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药，更可控、且安全，在能量方面，本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜，更利于能量的转换，点火能力强，同时可实现隔离点火，药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔，在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统，实现智能化。
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