MEMS压阻式伺服加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1217195C

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN03104781.5

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片,三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构,上下两层硅帽上均设反馈电极,中间硅片上设梁式结构,梁上设压敏电阻,组成惠斯登电桥来检测加速度信号,信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。可广泛应用于MEMS技术领域。

    压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法和流量计

    公开(公告)号:CN1431470A

    公开(公告)日:2003-07-23

    申请号:CN03104785.8

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架,中心为一带穿通图形的硅膜片,膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片,四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片,一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜,之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计,是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用,或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术,本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。

    压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法和流量计

    公开(公告)号:CN1182371C

    公开(公告)日:2004-12-29

    申请号:CN03104785.8

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架,中心为一带穿通图形的硅膜片,膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片,四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片,一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜,之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计,是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用,或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术,本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。

    MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN1432801A

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN03104784.X

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片,是一个杯状结构,包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻,组成点桥来敏感压力的变化,所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的,压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区,感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻,精度远高于以往采用的扩散工艺,可以提高压阻的控制精度及一致性,减小零点输出和零点温度漂移;压阻周围增加一圈n+隔离区,提高了芯片的长期稳定性;膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记,使腐蚀敏感膜的可控性增强,提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。

    MEMS压阻式伺服加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1431517A

    公开(公告)日:2003-07-23

    申请号:CN03104781.5

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片,三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构,上下两层硅帽上均设反馈电极,中间硅片上设梁式结构,梁上设压敏电阻,组成惠斯登电桥来检测加速度信号,信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。降低了电路难度,在不需要高精度集成电路工艺的情况下实现了加速度传感器的伺服控制,提高了检测精度。所采用的三明治结构大大增强了传感器的抗冲击能力,扩大了该传感器的适用范围。可广泛应用于MEMS技术领域。

    一种加工制造微电子机械系统元器件的方法

    公开(公告)号:CN1322591C

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN03127940.6

    申请日:2003-04-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法,目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为:一种元器件的制造方法,包括下述步骤中的至少二个:1)压阻制备;2)薄膜制备;3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法,为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点,因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域,不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。

    MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN1193218C

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN03104784.X

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片,是一个杯状结构,包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻,组成点桥来敏感压力的变化,所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的,压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区,感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻,精度远高于以往采用的扩散工艺,可以提高压阻的控制精度及一致性,减小零点输出和零点温度漂移;压阻周围增加一圈n+隔离区,提高了芯片的长期稳定性;膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记,使腐蚀敏感膜的可控性增强,提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。

    一种加工制造微电子机械系统元器件的方法

    公开(公告)号:CN1540386A

    公开(公告)日:2004-10-27

    申请号:CN03127940.6

    申请日:2003-04-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法,目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为:一种元器件的制造方法,包括下述步骤中的至少二个:1)压阻制备;2)薄膜制备;3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法,为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点,因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域,不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。

Patent Agency Ranking