公开(公告)号：CN115516608A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180032683.7

申请日：2021-04-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明是一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通过使所述SOI层接触臭氧水而在SOI层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜，而进行SOI层的表面的蚀刻，以第1蚀刻步骤中的SOI层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI层的加工余量少的方式，进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此，能够提供一种SOI晶圆的制造方法，其在SOI膜厚调整中，能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI膜厚的优异的面内均匀性。

公开(公告)号：CN106537561B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201580038731.8

申请日：2015-06-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B24B37/20 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

公开(公告)号：CN106062924B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201580011892.8

申请日：2015-02-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，关于自贴合晶圆的表面以氢离子、惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而于晶圆内部形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，借由以该离子注入层使贴合晶圆剥离，制造于该基底晶圆上具有薄膜的贴合式晶圆，而对于该贴合式晶圆，透过在含有氢气的氛围下进行RTA处理而将该薄膜表面平坦化，其中，于自该RTA处理的最高温降温而自热处理炉取出该贴合式晶圆之间，在该热处理炉内于该薄膜的表面形成保护膜，之后将形成有该保护膜的贴合式晶圆自该热处理炉取出，之后使用蚀刻该保护膜及该薄膜的洗净液以洗净。借此能够在RTA处理及进行其后的洗净后亦能良好维持薄膜的膜厚度的面内均匀性。

公开(公告)号：CN104025254A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065462.0

申请日：2012-11-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  横川功 ,  石塚徹 ,  加藤正弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。

公开(公告)号：CN106663597B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201580047351.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  桑原登

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。

公开(公告)号：CN106062923B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201580011152.4

申请日：2015-02-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为一种贴合式SOI晶圆的制造方法，其中将硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的热氧化处理，使剥离后的贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于贴合晶圆剥离后的贴合式SOI晶圆进行还原性热处理，将内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于还原性热处理前的膜厚度范围。借此提供一种贴合示SOI晶圆的制造方法，能够抑制由SOI层剥离后的还原性热处理而产生的埋入氧化膜厚度的面内分布的变动。

公开(公告)号：CN105493232B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201480047111.6

申请日：2014-08-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此，能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN106537561A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038731.8

申请日：2015-06-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

公开(公告)号：CN106415784A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027234.8

申请日：2015-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/84 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及(e)对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。

公开(公告)号：CN103563049B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280026001.2

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宜彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法具有：使用了分批式离子注入器的离子注入工序；将键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在离子注入层剥离键合晶片而制作在衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法其特征是，分多次进行对于离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。由此，提供一种能够以大量生产水平制造提高了衬底晶片上的薄膜尤其SOI层的膜厚均匀性的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。