公开(公告)号：CN118215557A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280077034.3

申请日：2022-10-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木健汰

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种模板组件，是用于晶圆的单面研磨的、晶圆支撑用的模板组件，具备背垫、及沿着该背垫的外周部固定的导环部，所述背垫在支撑晶圆的面上的径向的形状轮廓的PV值为0.9mm以下，支撑晶圆的面的表面粗糙度Ra为1.1μm以下。由此，提供一种能够提高单面研磨后的晶圆的边缘平坦度的面内均匀性的模板组件。

公开(公告)号：CN113766994A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080032295.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木健汰 ,  大关正彬

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/12 ,  B24B49/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，监测所述抛光垫的温度变化，从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光，在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成第二条件来对所述晶圆的表面进行抛光。由此，能够正确地检测出自然氧化膜已被去除从而抑制边缘塌边。

公开(公告)号：CN118591869A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380019505.X

申请日：2023-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  铃木克佳 ,  田中佑宜 ,  铃木温 ,  铃木健汰 ,  多贺稜 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/314 ,  C01B32/25 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。

公开(公告)号：CN113766994B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202080032295.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木健汰 ,  大关正彬

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/12 ,  B24B49/14 ,  H01L21/304