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公开(公告)号:CN106068547B
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201580011736.1
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法,该外延晶圆在硅系基板上具有外延层,该外延晶圆的制造方法的特征在于,在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后,使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此,提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法,该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号:CN106068547A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201580011736.1
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法,该外延晶圆在硅系基板上具有外延层,该外延晶圆的制造方法的特征在于,在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后,使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此,提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法,该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号:CN106068546B
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201580011705.6
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法,其特征在于,具有以下步骤:制作步骤,其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆;观察步骤,其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部;以及,去除步骤,其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此,提供一种半导体外延晶圆的制造方法,该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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公开(公告)号:CN106068546A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201580011705.6
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
CPC classification number: C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , C30B33/10 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/7806 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/32
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法,其特征在于,具有以下步骤:制作步骤,其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆;观察步骤,其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部;以及,去除步骤,其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此,提供一种半导体外延晶圆的制造方法,该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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