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公开(公告)号：CN109070308B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780026381.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/30 , G01B11/02 , G01B11/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种模板组件的选别方法，包含：准备步骤，准备模板组件，为在底环或底板上同心贴合有模板，模板具有支承工件的里面的背垫以及位于背垫上而用以支承工件的边缘部的保持环，底环及底板具有较模板大的外径；测定步骤，在模板组件的模板侧，对于以底环或底板的外周缘表面为基准面时的保持环及背垫的高度位置分布进行非破坏性测定；算出步骤，自测定的高度位置分布，计算出保持环的平面度，以及关于该经测定的该高度位置分布的该保持环与该背垫的平均段差量；以及选别步骤，基于平面度及平均段差量，选别模板组件。借此，能够调整研磨后的工件的平坦度的分散。
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公开(公告)号：CN106061679B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN109643670B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201780051581.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。
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公开(公告)号：CN108290269B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
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公开(公告)号：CN109643670A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051581.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108290269A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
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公开(公告)号：CN104114322A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380006959.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B53/00 , B24B53/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN104968473B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480006747.6
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B7/241 , B24B37/08 , H01L21/304 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN106061679A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN105531799A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050581.8
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/11
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/12
Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。
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