公开(公告)号：CN102637707B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210027912.9

申请日：2012-02-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  碓井崇

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。

公开(公告)号：CN1384552A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02121842.0

申请日：2002-03-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  冈部正太郎 ,  佐野政史 ,  酒井明 ,  林享 ,  杉山秀一郎

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/075 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/261

Abstract: 本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。

公开(公告)号：CN102637707A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210027912.9

申请日：2012-02-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  碓井崇

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。

公开(公告)号：CN1236477C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02119067.4

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得：向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体，至少内部的一部分用含硅固体覆盖，在真空容器的内部空间中产生等离子体，以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。

公开(公告)号：CN1330392A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01124925.0

申请日：2001-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/202 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P

公开(公告)号：CN100389478C

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN03178616.2

申请日：2003-07-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  田村秀男 ,  保野篤司 ,  远山上 ,  园田雄一 ,  岩田益光 ,  中山明哉 ,  宮本祐介

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种叠层体形成方法是，以具有：在基体上边形成中间层的第1工序；和在所述中间层上边形成与所述基体的粘附力比所述中间层小且反射率比所述中间层大的金属层的第2工序，所述第2工序的途中增加所述金属层的形成速度为特征。由此，提供具有良好特性，即使在高温下、潮湿下、或连续长时间使用下等也有优良的反射特性和粘附性的叠层体的形成方法和光电器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1601758A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410090189.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  高井康好 ,  东川诚 ,  都築英寿 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供光电元件及光电元件的形成方法。该光电元件，具有在基板上串联配置了第一pin结和第二pin结的结构，所述第一pin结的i型半导体层由非晶质硅构成，所述第二pin结的i型半导体层包含晶质硅，该光电元件在上述第一pin结的p/i界面中具有第一中间层，n/i界面中具有第二中间层，在上述第二pin结的p/i界面中具有第三中间层，n/i界面中具有第四中间层，上述第二中间层和第三中间层由非晶质硅构成，且上述第一中间层和第四中间层包含晶质硅，或者，上述第二中间层和第三中间层包含晶质硅，且上述第一中间层和第四中间层由非晶质硅构成。

公开(公告)号：CN1377057A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119067.4

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得:向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体,至少内部的一部分用含硅固体覆盖,在真空容器的内部空间中产生等离子体,以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。

公开(公告)号：CN1069933C

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN94120758.7

申请日：1994-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  近藤隆治 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/50 ,  C23C14/38

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种适合于辊对辊式或类似配置的等离子CVD方法，i-型半导体层形成前后加快基带温度变化率，以防止用等离子CVD法在基带上形成淀积薄的这种结构的退火而引起的杂质扩散，为对在i-型层放电室内移动的细长基带在放电室入口前的紧邻处按4℃/秒以上的速率加热，并在放电室出口后面立即按4℃/秒以上的速率冷却时，连续地形成了大面积的性能均匀一致的没有因扩散而造成特性变坏的迭层式光电器件。

公开(公告)号：CN1168929A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97110926.5

申请日：1997-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒尾浩三 ,  中川克己 ,  近藤隆治 ,  岩崎由希子

IPC: C25D3/00 ,  C25D7/12 ,  C25D9/02

CPC classification number: H01L31/076 ,  C25D5/10 ,  C25D9/08 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 用电解法稳定制造可极好粘接到衬底上的氧化锌薄膜的方法，特别是用作光电转换器件的光约束层的氧化锌薄膜是在浸在水溶液中的导电衬底与电极之间加电流而形成的，所述溶液至少含有硝酸根离子，锌离子和碳水化合物。