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公开(公告)号：CN119836019A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411949199.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 东南大学
IPC: H10F30/222 , H10F71/00 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料碲镉汞范德华异质结界面钝化的室温红外探测器及制备方法，包括：碲镉汞衬底、二维材料、金属底电极和金属顶电极；二维材料包括有界面钝化层，该碲镉汞衬底和二维材料形成范德华pn异质结，界面钝化层介于范德华pn异质结之间；本发明通过设计具有层间耦合石墨烯的二维材料碲镉汞范德华异质结，避免了通过传统离子注入的手段引入界面缺陷，并进一步抑制了碲镉汞界面缺陷辅助复合，有效延长载流子寿命，促进了光生载流子转移，提高了器件探测性能；本发明兼顾工艺简单便捷的优点，实现了非制冷低暗电流高灵敏度的中波红外探测，为开发新型室温集成化红外探测器提供了新的设计思路。
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公开(公告)号：CN118507326A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410574835.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法，属于半导体光电器件领域。本发明通过非平行板式电容耦合等离子体装置来对二维半导体进行插层处理，即利用氧等离子嵌入二维半导体的范德华层间空隙，使样品原子层之间实现物理解耦，由此构筑单层二维半导体叠加的多量子阱超晶格结构，并成功降低EEA(Exciton‑exciton annihilation)速率，实现高效率的LED(Light‑emitting diodes)光源。该方法操作便捷且与目前硅基半导体工艺兼容度高，因此实用性较强。
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公开(公告)号：CN118259514A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363765.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种相位补偿型硅基星形90度光混频器，硅波导层配置包括信号光输入波导、本振光输入波导、Y分支和3个2×2多模干涉耦合器(MMI)组成的星形结以及四个输出波导；本振光输入波导与Y分支输入端口耦合，信号光输入波导与底部2×2多模干涉耦合器其中一个输入端口耦合，通过四路90度弯曲波导，将信号光和本振光输入至两侧2×2MMI多模干涉区，使得信号光和本振光在两侧的2×2MMI中混频，并分别引出至两侧的四个输出波导。本发明基于硅基波导及多模干涉耦合器，可通过热移相器补偿由四路90度弯曲波导产生的相位偏差，具有尺寸小、低相位偏差、可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN116565054A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310446432.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种位置调控的石墨烯‑硅异质结光致阻变器及其制备方法。属于半导体光电子器件和传感器领域，所述光致阻变器包括轻掺杂的硅衬底、石墨烯、金属电极以及给两电极提供电压的电源。本发明制备的石墨烯和硅的异质结可有效分离光生载流子，并在横向光电效应的作用下产生横向光生电动势；配合外部电源给石墨烯上两电极施加的电压可得到随位置变化的光致阻变器。本发明获得的光致阻变器件，在光照下，通过调节电压，不仅可在弱光下实现电阻随位置的线性变化，还可实现超过5个数量级电阻的突变，响应频率最高可达10kHz，且工作波长覆盖可见‑近红外波段。该器件在空间位移精密探测器、光电存储、光电逻辑操作等方向具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN119087170A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411218308.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/265 , G01R31/26 , G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种高时空分辨的光生载流子瞬态输运绘像系统和方法，飞秒激光模块产生两束飞秒激光，分别作为泵浦激光和探测激光；泵浦激光经泵浦光倍频模块、延迟线模块和第一斩波模块，进入显微模块；探测激光经第二斩波模块进入探测光扫描模块，对探测激光进行空间扫描控制，随后，泵浦激光和探测激光在在显微模块处大致重合后进入到样品光电测量底座模块，其中探测激光经样品反射后，进入信号采集模块。本发明能够对载流子的瞬态输运过程进行表征，阐明其动力学过程，进而分析影响器件性能的关键因素，为光电器件的性能提升提供理论和实验指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104960286B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510331341.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种可控的二维材料柔性转移方法，所述方法包括步骤：首先，由机械剥离方法或者其他方法得到待转移的目标二维材料；然后，在该二维材料表面喷涂上聚碳酸亚丙酯胶；静置并加热使聚碳酸亚丙酯胶固化后，二维材料将依附于成形的聚碳酸亚丙酯薄膜下方；接着将该薄膜安装在载有聚二甲基硅氧烷缓冲层的微观操作手上，并借助光学显微镜精确对准到目标基底的目标位置；最后加热融化聚碳酸亚丙酯薄膜，并用有机溶剂去除残留的聚碳酸亚丙酯。本发明实现了二维材料的精确可控转移。该方法工艺简单、效率高且适用性广泛，有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104960286A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510331341.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种可控的二维材料柔性转移方法，所述方法包括步骤：首先，由机械剥离方法或者其他方法得到待转移的目标二维材料；然后，在该二维材料表面喷涂上聚碳酸亚丙酯胶；静置并加热使聚碳酸亚丙酯胶固化后，二维材料将依附于成形的聚碳酸亚丙酯薄膜下方；接着将该薄膜安装在载有聚二甲基硅氧烷缓冲层的微观操作手上，并借助光学显微镜精确对准到目标基底的目标位置；最后加热融化聚碳酸亚丙酯薄膜，并用有机溶剂去除残留的聚碳酸亚丙酯。本发明实现了二维材料的精确可控转移。该方法工艺简单、效率高且适用性广泛，有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN102120574A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110060953.3
申请日：2011-03-15
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法，首先在单晶硅表面镀100-300纳米(nm)镍薄膜，然后利用离子注入的方式，将碳元素注入到镍薄膜中。再经过高速褪火（煺火温度在600-1000摄氏度之间，真空度为10-5至1帕（Pa），煺火时间15分钟至一小时），然后降至室温，使碳原子从镍膜中析出并重组。至此，镍薄膜表面就会有一层石墨烯薄膜（薄膜厚度取决于各实验参数，如碳注入含量等）。将样品放入氯化铁(FeCl3)溶液中，镍薄膜会被腐蚀，石墨烯薄膜会分离并漂浮在液体表面。此时，可以用任意衬底将此石墨烯薄膜从液体中转移出。这样大范围的石墨烯薄膜就制作完成，大小可达数厘米。
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公开(公告)号：CN119667869A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510123623.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫‑曾德尔光开关。氮化硅波导层配置包括两个光输入波导、两个2×2弯曲波导型3dB定向耦合器、两个对称马赫‑曾德尔干涉(MZI)臂以及两个光输出波导；两个光输入波导分别与第一2×2 3dB定向耦合器的两个输入端口耦合，通过两路对称MZI臂，其中某一MZI臂直波导附有热电极可进行光信号相位调制，将两路MZI臂输出光输入至第二2×2 3dB定向耦合器，使得两路MZI臂输出光进行合并干涉，并分别引出两路输出波导。本发明基于氮化硅方形波导及2×2弯曲波导型3dB定向耦合器，具有偏振不敏感、大带宽、低插损、高消光比等优点。
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公开(公告)号：CN118315465A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410397882.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法，包括：衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极；该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到，沟道材料置于衬底上表面，两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触；沟道材料为高迁移率材料；本发明通过设计分叉电极，构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系，得到光斑位置与光电导增益的函数关系，进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点，适用于微弱光位置探测，而且可选取具有不同光吸收的衬底，实现特定波段光的位置探测。
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