公开(公告)号：CN119836019A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411949199.2

申请日：2024-12-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 吕俊鹏 ,  章鑫磊 ,  倪振华 ,  张嘉霖 ,  吴建峰 ,  周涛

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料碲镉汞范德华异质结界面钝化的室温红外探测器及制备方法，包括：碲镉汞衬底、二维材料、金属底电极和金属顶电极；二维材料包括有界面钝化层，该碲镉汞衬底和二维材料形成范德华pn异质结，界面钝化层介于范德华pn异质结之间；本发明通过设计具有层间耦合石墨烯的二维材料碲镉汞范德华异质结，避免了通过传统离子注入的手段引入界面缺陷，并进一步抑制了碲镉汞界面缺陷辅助复合，有效延长载流子寿命，促进了光生载流子转移，提高了器件探测性能；本发明兼顾工艺简单便捷的优点，实现了非制冷低暗电流高灵敏度的中波红外探测，为开发新型室温集成化红外探测器提供了新的设计思路。

公开(公告)号：CN118738198A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411117405.3

申请日：2024-08-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 ,  吕俊鹏 ,  吴建峰 ,  张嘉霖

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道范德华异质结的红外探测器及制备方法，包括衬底和从下至上依次堆叠在所述衬底上的金底电极、透明底电极、范德华异质结、透明顶电极和金顶电极；该范德华异质结为具有垂直沟道的范德华异质结，且该范德华异质结为pn结；本发明通过设计垂直沟道异质结替代水平沟道，将载流子传输距离缩短到几十纳米，实现了暗电流、载流子传输时间、载流子传输效率的协同优化；本发明在同一器件中同时兼顾了高速、高灵敏、宽波段、室温工作及易于硅基集成的优点，为下一代室温红外探测器的发展提供了关键技术支撑。