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发明公开
一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118507326A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410574835.1

申请日：2024-05-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 , 吕俊鹏 , 章琦 , 王世选 , 傅强

IPC: H01J37/32 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/26

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法，属于半导体光电器件领域。本发明通过非平行板式电容耦合等离子体装置来对二维半导体进行插层处理，即利用氧等离子嵌入二维半导体的范德华层间空隙，使样品原子层之间实现物理解耦，由此构筑单层二维半导体叠加的多量子阱超晶格结构，并成功降低EEA(Exciton‑exciton annihilation)速率，实现高效率的LED(Light‑emitting diodes)光源。该方法操作便捷且与目前硅基半导体工艺兼容度高，因此实用性较强。

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