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公开(公告)号：CN114188243B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111334272.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理系统和基板处理装置的管理方法。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN107221491B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710128384.9
申请日：2017-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在将多个不同种类的清洗液向刷子供给的情况下、也能够进行良好的清洗处理的基板清洗装置。实施方式的基板清洗装置具备基板保持部、刷子、臂、喷出部以及引导构件。基板保持部将基板保持成可旋转。刷子具有：主体部；清洗体，其设置于主体部的下部，能够被按压于基板；空心部，其形成于主体部，上下两端开口。臂借助主轴将刷子的主体部支承成可旋转。喷出部设置于臂，可对多个种类的处理液进行切换而喷出。引导构件配置于喷出部与刷子之间，暂且接收从喷出部喷出来的处理液并向刷子的空心部引导。
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公开(公告)号：CN105632976B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510846534.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
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公开(公告)号：CN107275200A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710141991.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67028 , H01L21/67132 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/304
Abstract: 提供一种基板处理装置的管理方法和基板处理系统。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN105632976A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510846534.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165496A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210535939.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制不同的药液混合。基板处理装置（1）具有：基板保持部（21），其用于水平地保持晶圆（W）；旋转驱动部（24），其用于使基板保持部（21）旋转；第1药液喷嘴（73），其用于向晶圆（W）的周缘部上的第1药液供给位置（74a）喷出第1药液；第2药液喷嘴（83），其用于向晶圆W的周缘部上的第2药液供给位置（84a）喷出第2药液。当第1药液喷嘴（73）喷出第1药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第1旋转方向（R1）旋转，并且，当第2药液喷嘴（83）喷出第2药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第2旋转方向（R2）旋转。
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公开(公告)号：CN101802982B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980100353.6
申请日：2009-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种液体处理装置和液体处理方法，液体处理装置包括：第二壳体(20)；能与第二壳体(20)抵接的第一壳体(10)；用于保持被处理体(W)的保持部(1)；使由保持部(1)保持的被处理体(W)旋转的旋转驱动部(60)；将处理液供给到由保持部(1)保持的被处理体(W)的正面的周缘部的正面侧处理液供给喷嘴(51a、52a)；被配置在由保持部(1)保持的被处理体(W)的背面侧并用于存储经过了被处理体(W)的处理液的存储部(23)。第一壳体(10)和第二壳体(20)分别能向一个方向移动，第一壳体(10)和第二壳体(20)能抵接和分离开。
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公开(公告)号：CN118160075A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072218.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤；之后，对所保持的所述基片进行加热的步骤；之后，在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前，调节所述周缘部的温度，使所述基片的面内温度分布近似于从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的期间的面内温度分布的步骤；和之后，从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的步骤。
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公开(公告)号：CN107275200B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201710141991.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理装置的管理方法和基板处理系统。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN112242321A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010673489.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部；和形成有与第1流路连通的第2流路，并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件，改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本发明能够抑制颗粒的产生。
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