公开(公告)号：CN119948602A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068148.6

申请日：2023-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下阳平 ,  森弘明 ,  中村洋介 ,  柴和宏 ,  岩永和也 ,  久野和哉

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B28D5/00

Abstract: 在第一基板与第二基板接合而成的重叠基板中，考虑形成于第一基板的槽口部的未接合区域来适当地去除第一基板的周缘部。一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理，其中，所述第一基板具有：槽口，其是将作为去除对象的所述第一基板的周缘部的一部分切除而形成的槽口；与所述第二基板进行了接合的接合部分；以及未与所述第二基板接合的未接合部分，所述基板处理方法包括：沿着所述第一基板的所述周缘部与所述第一基板的中央部之间的边界照射激光束，来形成成为所述周缘部的剥离的基点的周缘改性层；以及以所述周缘改性层为基点将所述周缘部从所述重叠基板剥离，其中，在形成所述周缘改性层时，基于所述未接合部分的信息来决定与所述槽口的形成部分对应的所述周缘改性层的形成位置。

公开(公告)号：CN102193345A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110035363.5

申请日：2011-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 麻生丰 ,  岩永和也

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种减压干燥方法和减压干燥装置。在被处理基板上形成的涂覆膜上实施干燥处理的减压干燥装置中，能够提高干燥处理后的涂覆膜的面内均匀性，提高配线图案形成过程中所述涂覆膜的残留膜厚和线宽的均匀性。在将形成有涂覆膜的基板(G)收纳在腔室(2)内，使上述腔室内成为减压环境的工序中，包括以第一减压速度(v1)对上述腔室内的压力进行减压，成为比上述溶剂的蒸汽压(Pe)高并至少不会使上述溶剂突然沸腾蒸发的第一压力值(P1)的步骤；和从所述第一压力值至少直到所述溶剂的蒸汽压，以比所述第一减压速度低的第二减压速度(v2)缓慢进行减压的步骤。

公开(公告)号：CN105632976B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201510846534.0

申请日：2015-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天野嘉文 ,  伊藤优树 ,  冈本英一郎 ,  岩永和也 ,  池边亮二

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。

公开(公告)号：CN105632976A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510846534.0

申请日：2015-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天野嘉文 ,  伊藤优树 ,  冈本英一郎 ,  岩永和也 ,  池边亮二

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。

公开(公告)号：CN110783226B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910670107.X

申请日：2019-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 日高章一郎 ,  池田朋生 ,  碛本荣一 ,  岩永和也 ,  林圣人

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体供给单元；对被上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部通过从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。

公开(公告)号：CN110783226A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910670107.X

申请日：2019-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 日高章一郎 ,  池田朋生 ,  碛本荣一 ,  岩永和也 ,  林圣人

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体供给单元；对被上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部通过从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。